陈维德
- 作品数：61 被引量：127H指数：7
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学农业科学一般工业技术更多>>
- CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制被引量：4
- 1994年
- 利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．
- 何杰顾诠陈维德许振嘉
- 关键词：薄膜生长反应机理
- TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
- 1990年
- TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。
- 陈维德雨.本德
- 关键词：快速热退火处理法硅化物
- CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料被引量：1
- 1994年
- 本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／ＧａＡＳＳｃｈｏｔｔｋｙ势垒进行测量，其势垒高度为ＢＨ＝０．７６ｅＶ；理想因子ｎ＝１．１４．因此，在ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ自对准工艺中ＣｏＳｉ２材料可望成为一种较理想的栅极材料．
- 金高龙陈维德许振嘉
- 关键词：MESFET砷化镓COSI2栅极
- 氧含量对铒离子注入SiO<,x>1.54μm室温光致发光的影响
- 陈维德马智训
- 关键词：离子注入光致发光硅基发光材料
- 注铒a-SiO_x∶H中Er^(3+)发光与薄膜微观结构的关系被引量：1
- 2002年
- 采用光致发光 (PL )谱和傅里叶变换红外 (FTIR)谱研究了掺铒 a- Si Ox∶ H(a- Si Ox∶ H〈 Er〉)薄膜在不同退火温度下光学性质和微观结构的变化 .PL 谱的测量结果表明 :薄膜在 1.5 4 μm的 Er3+发光和 75 0 nm处的可见发光随退火温度有相同的变化趋势 ,这种变化和薄膜在退火过程中微观结构的变化有着密切关系 .FTIR谱的分析表明 :a- Si Ox∶ H薄膜是一种两相结构 ,富硅相镶嵌在富氧相中 .两者的成分可近似用 a- Si Ox≈ 0 .3∶ H和 a- Si Ox≈ 1 .5∶ H表示 ,前者性质接近于氢化非晶硅 (a- Si∶ H ) ,后者性质接近于 a- Si O2 .富硅相在退火中的变化对 Er3+ 的发光强度有重要影响 .
- 陈长勇陈维德王永谦宋淑芳许振嘉郭少令
- 关键词：ER^3+光学性质
- 掺铒nc-Si/SiO_2薄膜中nc-Si和Er^(3+)与非辐射复合缺陷间相互作用对薄膜发光特性的影响被引量：8
- 2003年
- 对nc Si SiO2 薄膜中纳米硅 (nc Si)、Er3+ 和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究 .在 5 14 .5nm光激发下 ,nc Si SiO2 薄膜在 75 0nm和 1.5 4 μm处存在较强的发光 ,前者与薄膜中的nc Si有关 ,后者对应于Er3+ 从第一激发态4 I1 3 2 到基态4 I1 5 2 的辐射跃迁 .随薄膜中Er3+ 含量的提高 ,1.5 4 μm处的发光强度明显增强 ,75 0nm处的发光强度却降低 .H处理可以明显增强薄膜的发光强度 ,但是对不同退火温度样品 ,处理效果却有所不同 .根据以上实验结果 ,可得如下结论 :在nc Si颗粒附近的Er3+ 和其他的缺陷组成了nc Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心 ,束缚激子通过Er3+ 的非辐射复合 ,激发Er3+ 产生 1.5 4 μm处的发光 ,同时降低了 75 0nm处的发光强度 .nc Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er3+ 被激发的概率 ,引起 1.5 4 μm处的发光强度降低 .
- 陈长勇陈维德王永谦宋淑芳许振嘉
- 关键词：掺铒发光特性ER^3+纳米硅
- Co与Si和SiO_2在快速热退火中的反应被引量：3
- 1990年
- 利用四探针、AES、XRD、XPS和SEM等技术研究了快速热退火中Co与Si和SiO_2反应动力学、相序、层的形貌。测量了薄层电阻与退火温度和时间的关系。结果表明,随退火温度的升高,淀积在硅衬底上的钴膜逐步转变为Co_2Si、CoSi_(?)最后完全转化为CoSi_2。CoSi_2对应的电阻率最低。Co与SiO_2不会反应,即使在1050℃的高温下也没有观察到任何形成钴硅化物的证据。
- 陈维德崔玉德许振嘉陶江
- 关键词：钴快速退火SIO2
- 掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光被引量：8
- 1999年
- 采用等离子化学汽相淀积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ．用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯｘ，经３００～９３５℃快速热退火，在波长１．５４μｍ处观察到很强的室温光致发光（ＰＬ）．发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与ＳｉＯｘ的微结构有非常密切的关系．
- 陈维德马智训许振嘉何杰何杰梁建军
- 关键词：掺铒光致发光室温氧化硅
- 多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究
- 1991年
- 本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性.结果表明,当退火温度低于 850℃,这种结构有良好的热稳定性.当温度高于 850℃,多晶硅与硅化物间将发生互扩散和界面反应.随着退火温度升高,在惰性气体的气氛中,CoSi_2迁移到表面层,而硅外延生长在硅衬底上,形成 CoSi_2/Si 双层结构;在真空中热处理仍可保持 poly-Si/CoSi_2/Si 三层结构.
- 陈维德金高龙崔玉德许振嘉
- 关键词：多晶硅掺杂多层结构真空
- 新疆细毛羊与澳州美利奴杂交的杂交优势
- 1991年
- 利用19只公羊和5群母羊来测定初生、断奶和周岁时的杂交优势水平。公羊的基因型包括:纯种新疆细毛羊(XX)、纯种澳州美利奴(AA)和它们的一代杂种(F_1):母羊的基因型只有两个,即(XX)和(F_1)。试验于1987—1989年在新疆维吾尔自治区南山种羊场进行,试验设计了一个不同基因型之间的随机交配,以便估计性状的遗传参数和杂交优势水平。 用计算机分析了552个后代的记录。初生重、断奶重、周岁体重、断奶毛长、周岁毛长和周岁剪毛量的杂交优势分别是4.0％、2％、11.55％、0.4％、6.05％和3.49％。生长发育性状的杂交优势水平明显地高于羊毛生长性状的杂交优势水平。
- 陈维德朱贵存夏英武李继忠
- 关键词：新疆细毛羊美利奴羊杂交优势
