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张和保

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇腔面
  • 2篇面发射
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇垂直腔
  • 2篇垂直腔面
  • 2篇垂直腔面发射
  • 1篇氧化速率
  • 1篇氧化物限制
  • 1篇阵列
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇激光器阵列
  • 1篇功率
  • 1篇发射激光器
  • 1篇反射镜
  • 1篇布拉格反射镜
  • 1篇垂直腔面发射...
  • 1篇热特性
  • 1篇高功率

机构

  • 2篇长春理工大学

作者

  • 2篇张和保
  • 1篇冯源
  • 1篇郝永芹
  • 1篇魏东
  • 1篇谢浩锐
  • 1篇姜晓光
  • 1篇钟景昌
  • 1篇赵英杰

传媒

  • 1篇长春理工大学...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高功率VCSEL阵列散热研究及制备工艺
大功率VCSEL激光器阵列研制的关键问题之一就是散热问题，为了提高其输出功率、稳定性和可靠性，从半导体激光器产生的热量在热沉中的扩散入手，对列阵单元器件间的热相互作用进行了分析，提出了该过程是通过热流的扩散而发生作用的观...
张和保
关键词：热特性金刚石膜
文献传递
选择氧化工艺在垂直腔面发射激光器中的应用
2005年
讨论和研究了氧化时间、氧化温度、氧化载气的气流量三方面对A l0.98Ga0.02As层氧化深度、氧化速率的影响。综合考虑各因素,得到最佳氧化条件:氧化温度为420℃,氧化载气的气体流量1.6L/m in,此时的氧化速率为0.58μm/m in。
谢浩锐钟景昌赵英杰郝永芹姜晓光冯源张和保魏东
关键词：垂直腔面发射激光器布拉格反射镜氧化物限制氧化速率
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