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方绍华

作品数：2 被引量：33H指数：2
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电平位移
  • 1篇中高压
  • 1篇驱动电路
  • 1篇高压功率器件
  • 1篇功率
  • 1篇功率器件
  • 1篇半桥驱动
  • 1篇半桥驱动器
  • 1篇VDMOS

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇方绍华
  • 2篇何杞鑫
  • 1篇艾俊华
  • 1篇王英

传媒

  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
半桥驱动器中高压电平位移电路的研究被引量：11
2005年
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真,达到了600V以上的耐压要求。最后用Hspice对电路进行了功能仿真并给出了实验结果。仿真采用0.6滋mBiCMOS工艺。
艾俊华何杞鑫方绍华
关键词：驱动电路半桥驱动器电平位移高压功率器件
高压功率VDMOS管的设计研制被引量：22
2006年
随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于理论分析在工艺上成功实现了耐压为500V,导通电流为3A的功率VDMOS器件。
王英何杞鑫方绍华
关键词：VDMOS
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共1页<1>
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