曾庆城
- 作品数：14 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信自然科学总论理学更多>>
- B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应
- 1993年
- 显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.
- 曾庆城王水风罗房芳
- 关键词：离子注入
- GaAs表面光强反射率的温度敏感特性
- 1996年
- 对ＧａＡｓ表面光强反射率随温度的变化特性进行了分析，实验结果表明，在一定的温度范围内，其表面光强反射率Ｒ随温度变化的曲线具有开关特性。
- 肖韶荣曾庆城管永红熊黎明
- 关键词：温度砷化镓
- 多孔硅光致发光的非线性光学特性被引量：1
- 1999年
- 采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ Ｐ Ｓ）， 测量了多孔硅在近红外光（８００ ｎｍ ）激发下的光致发光（ Ｐ Ｌ）谱和光致发光激发（ Ｐ Ｌ Ｅ）谱， 结果表明多孔硅具有良好的上转换荧光特性， 并随着存放时间的延长， 在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强， 被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关， 光致发光谱的多峰结构表明多孔硅中存在多种发光中心。用量子限制／发光中心模型可以解释本实验结果。
- 任丙彦刘彩池张颖怀崔德升王水凤曾庆城
- 关键词：多孔硅发光机理非线性光学
- 注氮SOI埋入Si[*v3*]N[*v4*]结构的红外光谱分析
- 曾庆城王水风宋加涛
- 关键词：红外分光光度法X射线衍射分析
- 掺氮GaP晶片室温紫外光致荧光特性的研究
- 1997年
- 用紫外光致荧光法可以检测出ＧａＰ∶Ｎ液相外延晶片的室温ＰＬ谱和ＰＬＥ谱，同时还能观测到可引起绿色发光效率下降的Ｆｅ、Ｃｕ和Ｃｒ杂质沾污的荧光谱。本文介绍了ＧａＰ∶Ｎ晶片的ＰＬ特性的多峰结构及其与Ｎ和Ｎ－Ｎ对等电子中心激子复合发光的对应关系。
- 王水凤曾庆城王兼善罗庆芳
- 关键词：晶片磷化镓掺氮
- 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法
- 本发明涉及半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法。该方法先用常规的磨角技术制备出带斜角剖面的待测样品，再进行芯片结深的检测；其含有：a)用水做电解液，对磨角后的样品进行阳极氧化；b)通过剖面生成氧化膜的厚度差异，显示区分...
- 曾宇昕王水凤杨富华曾庆城
- 文献传递
- CeSi_2薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性被引量：3
- 1999年
- 将能量为45keV的Ce离子注入到Si单晶片中，研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性．透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的Ce离子注入层，选区电子衍射和X射线衍射分析表明注入层内形成了CeSi2．CeSi2的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完整．用远紫外光激发得到了室温蓝紫色PL谱．以红光（650～700nm）激发，则上转换蓝光和紫光发射的效率较高，其发光特性比较稳定．蓝光和紫光受激发射峰的强度随注入剂量的增加而迅速增加．
- 程国安徐松兰叶敦茹朱景环肖志松曾庆城
- 关键词：离子束合成室温
- LED-GaP外延晶片洁净优化技术的研究被引量：1
- 1999年
- 介绍了绿色、红色发光ＧａＰ外延晶片不同发光强度的无损检测方法。分别用短紫外光 （≤３００ｎｍ ） 和蓝光 （４８８ｎｍ ） 激发方式， 在室温下， 有效地观测了ＬＥＤＧａＰｖＮ （掺氮ＧａＰ晶片） 的多峰ＰＬ谱。根据对上述两种发光ＧａＰ外延晶片的相对光强与金属杂质Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ和Ｃｒ （以Ｆｅ 为主） 紫外荧光 （ＵＶＦ） 谱的实测数据的相关性，
- 王水凤胡力民曾宇昕曾庆城
- 关键词：发光二极管
- 硅中硼磷的横向扩散及其引起的CMOS LSI失效问题
- 1989年
- 实验发现,硼磷通过掩膜窗口向硅中扩散时,横向与纵向扩散深度之比 y_j/x_j 不是一个常数,而是随扩散温度的降低增大。此外,对于硼和磷的扩散来说,这个比值是不同的,且有(y_j/x_j)_B>(y_j/x_j)_P。通过解剖一些实际的 CMOS LSI 芯片结构发现,无论是采用常规工艺,或者是采用全离子注入技术,其失效的一种重要模式是 PMOS FET源、漏区硼扩散横向连通。分析了产生这种失效模式的机理。并提出在设计 CMOS LSI 时,适当调整 NMOS FET 和 PMOS FET 的沟道长度,有利于提高成品率和电路性能。
- 邓长吉曾庆城
- 多孔硅薄膜的红光激发上转换荧光特性
- 1997年
- 测量了用电化学腐蚀法制备的多孔硅（ＰＳ）薄膜红光（６００～８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ膜具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长在一定期限内峰值强度有明显的增强。这种非线性光学响应的增强被认为与空间量子限制效应作用下局域束缚激子被激发有关。
- 王兼善王水凤王平曾庆城
- 关键词：多孔硅上转换荧光蓝光发射
