焦升贤
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- He^+、N^+注入GaN的背散射和电学特性研究
- 2003年
- 采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质。研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下,氮气保护退火30min,用Hall法测量电阻率。测量结果表明:GaN的电阻率增大7～8个数量级。在200～400℃下退火,电阻率变化最大。经高温(600～700℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级。
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN背散射电学特性辐照损伤氦离子
- GaN的离子辐照效应
- 首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He+,N离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN...
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN电阻率离子注入辐照损伤
- 文献传递
