孙昌
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学医药卫生核科学技术一般工业技术更多>>
- 离子注入聚合物材料表面力学和电学性能改变的研究
- B<'+>和O<'+>离子注入聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene,简写PTFE),B<'+>、O<'+>和N<'+>离子注入聚碳酸酯(polycarbonate,简写PC),对注入前后的这两种材料...
- 孙昌
- 关键词：显微硬度电阻率光谱分析LET
- He^+、N^+注入GaN的背散射和电学特性研究
- 2003年
- 采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的物理性质和结晶品质。研究了He+、N+注入所引起的GaN的电阻变化和与退火温度的关系。在不同温度下,氮气保护退火30min,用Hall法测量电阻率。测量结果表明:GaN的电阻率增大7～8个数量级。在200～400℃下退火,电阻率变化最大。经高温(600～700℃)退火后,电阻率仍比注入前大3～4个数量级。
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN背散射电学特性辐照损伤氦离子
- GaN的离子辐照效应
- 首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He+,N离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN...
- 周生强姚淑德焦升贤孙长春孙昌
- 关键词：GAN电阻率离子注入辐照损伤
- 文献传递
- 带电粒子的沟道效应研究
- 本文对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17％(1),GaN及InG...
- 姚淑德吴名枋周生强孙长春孙昌张亚伟
- 关键词：带电粒子沟道效应晶格常数
- 文献传递
- 离子注入聚碳酸酯表面力学性能改变研究被引量：3
- 2004年
- 将B+和O+离子分别注入到高分子化合物聚碳酸酯(PC)中,PC的表面显微硬度和耐磨性能均得到了较大提高。用纳米硬度计测量注入前后PC的显微硬度,硬度提高了7～25倍。用球盘式磨损实验机测量注入前后PC的耐磨性能,磨痕的宽度比未注入的窄,最窄的磨痕(或最窄处)为未注入磨痕宽度的1/3～1/2。傅里叶变换红外光谱(FTIR)测试表明,注入前后高分子的结构发生了变化。
- 孙昌姚淑德周生强孙长春
- 关键词：表面显微硬度傅里叶变换红外光谱聚碳酸酯耐磨性能力学性能
- 带电粒子的沟道效应研究
- 对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17%,GaN及InGaN的晶格...
- 姚淑德吴名枋周生强孙长春孙昌张亚伟
- 文献传递
