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田武

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 3篇多量子阱
  • 3篇探测器
  • 3篇晶体
  • 3篇红外探测器
  • 2篇图形化
  • 2篇位错
  • 2篇晶体质量
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇AL
  • 2篇ALGAN
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇MOCVD
  • 1篇电子学
  • 1篇调谐
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇跃迁
  • 1篇生长温度

机构

  • 13篇华中科技大学

作者

  • 13篇田武
  • 11篇陈长清
  • 11篇戴江南
  • 7篇张骏
  • 6篇吴峰
  • 3篇吴志浩
  • 3篇方妍妍
  • 2篇李洋
  • 1篇王虎
  • 1篇王帅
  • 1篇李洋
  • 1篇熊晖
  • 1篇熊辉
  • 1篇陈圣昌
  • 1篇徐巍

传媒

  • 3篇第13届全国...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇全国第十四届...

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 7篇2013
  • 2篇2012
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用双面图形化衬底提高AlGaN基UV-LED发光效率方法
本发明公开一种利用双面图形化衬底提高AlGaN基UV-LED发光效率方法，这种方法可以有效地降低AlGaN基LED中的应力及位错密度，获得高质量的、表面原子级平整的AlN模板，进而得到高质量的AlGaN外延层，从而提高L...
田武张骏吴峰戴江南陈长清
文献传递
AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器的研究进展
随着军事应用对探测技术要求的不断提高，探测精度更高、误警率更低的双色或多色探测器成为当前的研究热点。阐述了可用于单一芯片上同时实现紫外红外探测集成的A1GaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测器的结构及其工作原理，同时介...
陈圣昌田武李洋吴志浩
关键词：红外探测器A1GAN/GAN
一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法
本发明公开一种利用AlInN自图形化模板提高<I>a</I>面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自...
张骏田武吴峰戴江南陈长清
文献传递
一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法
本发明公开一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法，该探测器结构包括蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次生长的低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、本征AlGaN层、n型AlGaN下接触层、AlGaN/GaN多量子...
张骏鄢伟一田武吴峰戴江南陈长清
文献传递
一种利用H<Sub>2</Sub>腐蚀和SiN<Sub>x</Sub>掩埋提高AlGaN材料质量的方法
本发明公开了一种提高AlGaN材料的MOCVD生长方法。该方法采用H<Sub>2</Sub>腐蚀AlGaN材料的方法，获得图形化的位错坑，再在此基础上沉积SiN<Sub>x</Sub>作为位错掩埋层，从而提高对位错弯曲和...
田武张骏鄢伟一戴江南陈长清
文献传递
基于子能带间跃迁的AlGaN/GaN基多量子阱ISBT红外探测研究
AlGaN/GaN多量子阱具有大的导带带阶，高的电子与 LO声子相互作用能（~90meV）以及超快的电子驰豫速度等优点，使得基于 AlGaN/GaN多量子阱子能带跃迁制备的量子阱红外探测器在超快、宽谱以及较高工作温度等方...
田武
关键词：红外探测多量子阱光电子学
文献传递
一种采用GaN自图形化模板a面常闭型HEMT制作方法
本发明公开一种采用GaN自图形化模板<I>a</I>面常闭型HEMT制作方法，其步骤：在MOCVD反应腔中，通过InGaN分解得到GaN自图形化生长模板；在模板上生长本征GaN层、AlN插入层、本征AlGaN插入层、n型...
张骏田武孙世闯戴江南陈长清
文献传递
蓝宝石衬底氮化对非极性a面GaN的MOCVD生长研究
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法直接在(1(1)02)r面蓝宝石衬底上制备出高质量的(1120)a面氮化镓(GaN)单晶薄膜,并研究了蓝宝石衬底氮化对于a面GaN生长的影响.对制备的薄膜进行了晶体结构、表面形貌以...
张骏田武吴峰王帅万齐欣戴江南陈长清
AlGaN基材料与器件的MOCVD外延生长研究
AlGaN是第三代新型宽禁带半导体材料的重要代表之一,AlGaN材料及低维量子结构在制作紫外、红外光电器件和高频微波功率器件等方面具有传统半导体材料无法比拟的优势,在光电子产业、生物医疗产业、国防工业等领域具有重要的应用...
陈长清丁颜颜邱东方妍妍戴江南吴志浩熊晖田武王虎李洋徐谨
利用GaN/AlGaN阶梯量子阱子带双谐振效应增强二阶非线性光学极化率
通过自洽求解薛定谔和泊松方程，我们研究了GaN/AlGaN量子阱中和子能带跃迁有关的二阶非线性光学极化率。计算结果表明，由于极化电场的存在，即使传统的单阱结构也能获得较大的二阶非线性光学极化率。而采用阶梯阱复杂结构，不仅...
吴峰田武张骏戴江南方妍妍陈长清
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