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吴峰

作品数：30 被引量：2H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 7篇会议论文
  • 6篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇机械工程
  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇水利工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇酰胺
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇发光
  • 4篇丙酰胺
  • 3篇位错
  • 3篇纳米
  • 3篇ALGAN
  • 3篇ALN
  • 3篇MOCVD
  • 3篇波长
  • 2篇氮化铝
  • 2篇氮化铝薄膜
  • 2篇倒装芯片
  • 2篇动力学
  • 2篇钝化
  • 2篇多量子阱
  • 2篇旋涂

机构

  • 30篇华中科技大学
  • 4篇华中科技大学...
  • 1篇广西大学

作者

  • 30篇吴峰
  • 16篇陈长清
  • 15篇戴江南
  • 7篇张骏
  • 6篇田武
  • 3篇王帅
  • 2篇周建中
  • 2篇程心环
  • 2篇胡月
  • 2篇张毅
  • 2篇丁姗
  • 2篇黎育红
  • 2篇聂凌霄
  • 2篇李斌
  • 2篇陈景文
  • 2篇刘任改
  • 1篇万玲玉
  • 1篇娄春
  • 1篇周怀春
  • 1篇王昊

传媒

  • 2篇第13届全国...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国工程热物...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2005
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1996
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
全无机钙钛矿量子点的制备方法和应用
本申请涉及一种全无机钙钛矿量子点的制备方法及应用，制备方法包括如下步骤：将摩尔比为1.8～2.2：1.8～2.2：0.9～1.1：0.9～3.3的PbX<Sub>2</Sub>、CsX、溴代酸和油胺溶解到预定溶剂中，得到...
尹君扬吴峰蹇鹏承戴江南陈长清
一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法
本发明公开一种高响应度的AlGaN基量子阱红外探测器及其制备方法，该探测器结构包括蓝宝石衬底；在蓝宝石衬底上依次生长的低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、本征AlGaN层、n型AlGaN下接触层、AlGaN/GaN多量子...
张骏鄢伟一田武吴峰戴江南陈长清
文献传递
高性能二维范德华异质结光电探测器研究
自石墨烯被发现以来，二维材料及其范德华异质结迅速引起研究者的热情，在超灵敏、室温红外光电探测等方面具有颠覆性的潜力。由于层与层之间是由范德瓦尔斯力结合的，二维材料可以以任意顺序和任意角度与其他二维材料堆叠形成范德华异质结...
吴峰
一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用
本发明属于半导体器件领域，具体涉及一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用，其中异质外延衬底为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温...
张毅单茂诚郑志华赵永明吴峰戴江南陈长清
蓝宝石衬底氮化对非极性a面GaN的MOCVD生长研究
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法直接在(1(1)02)r面蓝宝石衬底上制备出高质量的(1120)a面氮化镓(GaN)单晶薄膜,并研究了蓝宝石衬底氮化对于a面GaN生长的影响.对制备的薄膜进行了晶体结构、表面形貌以...
张骏田武吴峰王帅万齐欣戴江南陈长清
一种利用双面图形化衬底提高AlGaN基UV-LED发光效率方法
本发明公开一种利用双面图形化衬底提高AlGaN基UV-LED发光效率方法，这种方法可以有效地降低AlGaN基LED中的应力及位错密度，获得高质量的、表面原子级平整的AlN模板，进而得到高质量的AlGaN外延层，从而提高L...
田武张骏吴峰戴江南陈长清
文献传递
汽车冲压弯曲件CAPP系统的研究
该文介绍了汽车冲压弯曲件CAPP系统的任务、方案、结构和原理,从理论、方法及实践上对汽车冲压弯曲件CAPP系统的建立进行了阐述和探讨.
吴峰
关键词：冲压工艺卡CAPPCAPM
高质量AlN的MOCVD生长研究
来,第三代Ⅲ-Ⅴ族宽禁带半导体AlGaN基各类器件的应用领域不断拓展.由于同质衬底的缺乏,目前大多数的AlGaN基器件均外延于蓝宝石衬底上.然而,蓝宝石衬底与氮化物材料存在较大的晶格失配与热失配,这势必会导致高的缺陷密度...
张骏吴峰王帅陈景文龙瀚凌戴江南陈长清
关键词：氮化铝薄膜金属有机化学气相沉积
一种深紫外LED集成芯片及其制备方法
本发明属于深紫外LED芯片领域公开了一种深紫外LED集成芯片及其制备方法，该芯片是以单一一片外延生长有AlGaN外延片的晶圆衬底为基底，集成有至少2个PN结单元；每一个PN结单元作为一个深紫外LED发光单元，能够实现发光...
张会雪郑志华吴峰戴江南陈长清
用于深紫外发光二极管的高质量AlN及AlGaN材料MOCVD外延生长
AlGaN 基深紫外发光二极管(Deep ultraviolet light-emitting diodes,DUV-LEDs)在杀菌、水和空气净化、医疗光疗、生化检测、保密通信等领域具有重要的应用前景1,近年来得到了广...
陈长清王帅吴峰张骏陈景文龙瀚凌梁仁瓅戴江南
关键词：ALNALGANMOCVD
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