程未
- 作品数：4 被引量：38H指数：3
- 供职机构：厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院萨本栋微机电研究中心更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 集成电路版图(layout)设计方法与实例被引量：24
- 2003年
- 首先在理论上介绍了集成电路版图设计方法的详细步骤以及设计规则的特点。并结合一个运算放大器的版图设计实例详细讲解了集成电路版图设计的基本步骤技巧与准则。
- 程未冯勇建杨涵
- 关键词：集成电路版图设计MOS
- 基于MEMS技术的微电容式加速度传感器的设计被引量：9
- 2003年
- 给出了一种基于MEMS技术制作的微电容式加速度传感器的结构及工艺。为了准确地把握这种微电容式加速度传感器的力学和电学特性,仔细地建立了它的力学模型。在此基础上,详细分析了它的动态特性———模态。并用有限元的方法分析和计算了微电容式加速度传感器的加速度与电容信号的非线性输入输出关系,并结合实测参数验证了模型的有效性。最后提出了一种详细的有效的基于MEMS技术的微电容式加速度传感器的结构以及加工工艺流程。基于MEMS技术制作的微电容式加速度传感器具有结构简单、工作可靠和工作范围大的特点。根据这套方法,可以比较方便地设计并加工不同测量要求的加速度计。
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- 关键词：微机电系统有限元分析MEMS技术
- 一种基于MEMS技术的微变电容被引量：3
- 2003年
- 通过对接触式电容压力传感器的改进,提出了一种基于MEMS技术的微变电容模型。为确定外加驱动电压与由此所引起的电容变化之间的非线性关系,提出了一种有效的基于有限元的方法,并设计了相应的加工工艺流程,说明了其工艺的可实现性。
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- 关键词：MEMS电容压力传感器有限元分析
- 用于MEMS器件的高性能运算放大器的IC设计与测试被引量：2
- 2003年
- 根据特定电容式微传感器后续处理电路的高性能要求,设计一个运算放大器芯片。设计中采用了美国MOSIS公司提供的n阱0.35μm cmos工艺的SPICE BSIM3 mos管模型,手算估计芯片的参数,然后采用了两种能系统反映芯片特性的测量电路对设计进行了性能测量,并根据测试结果对设计做出相应调整。从最终测试结果来看,设计的运算放大器具有很好的静态和动态性能。
- 程未冯勇建杨涵
- 关键词：MEMS器件运算放大器测试电路微机电系统
