卞剑涛
- 作品数：16 被引量：28H指数：3
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 一种平板式MEMSRF射频开关的设计被引量：1
- 2004年
- 介绍了一种实用的平板电容式MEMSRF射频开关。研究了外加驱动电压与由此所引起的极板间距和极板受力变化之间的非线性关系,提出了一种有效的基于有限元的设计分析方法,在此基础上设计了相应的MEMS加工工艺流程,并给出了具体的MEMS工艺。
- 张睿卞剑涛冯勇建
- 关键词：驱动电压平板式电容式受力微机电系统静电驱动
- 基于MEMS技术的微电容式加速度传感器的设计被引量：9
- 2003年
- 给出了一种基于MEMS技术制作的微电容式加速度传感器的结构及工艺。为了准确地把握这种微电容式加速度传感器的力学和电学特性,仔细地建立了它的力学模型。在此基础上,详细分析了它的动态特性———模态。并用有限元的方法分析和计算了微电容式加速度传感器的加速度与电容信号的非线性输入输出关系,并结合实测参数验证了模型的有效性。最后提出了一种详细的有效的基于MEMS技术的微电容式加速度传感器的结构以及加工工艺流程。基于MEMS技术制作的微电容式加速度传感器具有结构简单、工作可靠和工作范围大的特点。根据这套方法,可以比较方便地设计并加工不同测量要求的加速度计。
- 程未曾晓鹭卞剑涛冯勇建
- 关键词：微机电系统有限元分析MEMS技术
- CMOS硅双光电探测器
- CMOS硅双光电探测器，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场...
- 陈朝卞剑涛
- 文献传递
- 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片
- 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块...
- 程翔史晓凤李继芳陈朝潘江炳颜黄苹卞剑涛
- 文献传递
- 基于MEMS技术的氧气微传感器机理研究与设计被引量：2
- 2003年
- 采用溶胶-凝胶(Sol gel)法制备氧敏感膜,并对其不同的药品配比进行成膜质量与响应时间的测试与比较。设计一系列实验对该传感器的氧敏感机理进行研究。结合MEMS技术,设计MOSFET氧气微传感器结构,在器件中集成了加热元件和测温元件。实验结果表明:该传感器响应时间快,有较高的灵敏度,较好的重复性、选择性和稳定性。该传感器的机理研究与设计为基于MEMS技术的氧气微传感器的深入研究提供一定的参考。
- 颜黄苹冯勇建陈曦卞剑涛
- 关键词：微传感器MEMS溶胶-凝胶法氧气传感器MOSFET
- 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片
- 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片，涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片，该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块...
- 程翔史晓凤李继芳陈朝潘江炳颜黄苹卞剑涛
- 标准CMOS工艺下单片集成光接收芯片的研究
- 2009年
- 设计了与标准CMOS工艺兼容的850 nm空间调制(Spatially Modulated,SM)结构光电探测器,在分析器件物理模型的基础上,建立了SPECTRE环境中等效电路的新模型。提出标准CMOS工艺下SM探测器与前置放大电路单片集成的电路设计。仿真结果表明,在850 nm光照下,SM探测器带宽达到400 MHz,并提供62 mA/W的响应度。整个集成芯片的工作速率为400 Mb/s,增益为0.81 kV/W,功耗为91 mW。
- 陈伟程翔卞剑涛陈朝芦晶
- 关键词：光电集成CMOSSPICE模型前置放大器
- ANSYS在接触式电容压力传感器非线性分析中的应用被引量：2
- 2002年
- 通过对接触式电容传感器结构原理的分析 ,运用ANSYS对传感器膜片在外加压力作用下的接触和大变形等非线性问题进行分析 ,并基于有限元法编写相应的程序 ,直接得出输出电容与外加压力之间的关系。比较实验结果 ,验证了ANSYS对接触式电容压力传感器非线性分析的可行性 。
- 卞剑涛颜黄苹冯勇建王亚强
- 关键词：有限元法微传感器ANSYS
- 标准CMOS工艺下Si光电探测器的模拟与设计被引量：2
- 2006年
- 设计了与标准CMOS工艺兼容的硅双光电探测器，并从理论上计算和分析了其绝对光谱响应。0．5pmCMOS工艺条件数值模拟结果显示，在无抗反射膜情况下该探测器在400～900nm波长范围内响应度都在0．2A／W以上，尤其是在短波长处效果比一般的探测器要好。还就反向偏压以及CMOS工艺中介质与钝化层等因素对探测器响应度的影响进行了讨论。
- 卞剑涛陈朝
- 关键词：CMOS光电探测器硅
- 基于Laplace变换法的光电探测器频率响应研究被引量：6
- 2007年
- 从光电探测器的基本方程出发,采用Laplace变换方法,分析了一种与CMOS标准工艺兼容的N-well/P-sub结构光电探测器的频率响应特性,780nm和650nm波长下的截止频率分别为14.4MHz和43MHz.该分析方法克服了频率特性测量中存在负载影响和采用渡越时间分析截止频率所存在的近似与作用不确定的问题,适用于各种PN以及PIN结构的光电探测器的频率特性研究.
- 卞剑涛程翔陈朝
- 关键词：光电子学光电探测器LAPLACE变换频率响应CMOS工艺
