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骆军委

作品数：36 被引量：25H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学经济管理一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 7篇理学
  • 3篇经济管理
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 11篇锗
  • 10篇半导体
  • 7篇原子
  • 7篇惰性气体
  • 7篇惰性气体原子
  • 6篇晶体
  • 6篇激光
  • 5篇衬底
  • 4篇量子
  • 4篇脉冲
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇发光
  • 4篇分子
  • 3篇光电
  • 3篇硅基
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电子结构
  • 2篇电子结构计算
  • 2篇电子器件
  • 2篇动力学

机构

  • 33篇中国科学院
  • 3篇浙江大学
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇湖南师范大学
  • 1篇中国运载火箭...
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院数...
  • 1篇中国科学院力...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 36篇骆军委
  • 9篇李树深
  • 3篇刘洋
  • 2篇梁平
  • 2篇胡颖
  • 2篇刘峰奇
  • 2篇卓宁
  • 2篇盛正卯
  • 2篇刘舒曼
  • 2篇王利军
  • 2篇李媛媛
  • 2篇张锦川
  • 2篇翟慎强
  • 2篇刘俊岐
  • 1篇蔡阳键
  • 1篇方再利
  • 1篇牛智川
  • 1篇苏付海
  • 1篇李博
  • 1篇李博

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇新华文摘
  • 1篇空间科学学报
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇物理
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇中国科学院院...
  • 1篇浙江师大学报...
  • 1篇微纳电子与智...
  • 1篇2006年全...

年份

  • 2篇2025
  • 2篇2024
  • 9篇2023
  • 5篇2022
  • 6篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱被引量：2
2005年
在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
马宝珊王晓东骆军委苏付海方再利丁琨牛智川李国华
关键词：凝聚态物理学光致发光砷化铟量子点
应变锗沟道晶体管及其制备方法
本发明提供了一种应变锗沟道晶体管及其制备方法，其中，该应变锗沟道晶体管的制备方法包括：提供一锗衬底，在锗衬底上沉积牺牲层，并选择性刻蚀掉部分牺牲层；在刻蚀掉部分牺牲层后的锗衬底区域进行惰性气体原子掺杂并进行热退火处理；在...
何力骆军委
隐藏在中心对称晶体中的自选极化
当非磁性三维半导体晶体中的反演对称破缺后,自选轨道相互作用能够使晶体场中运动的电子产生有效磁场,导致能带的自旋简并的解除,从而引起电子自旋极化.早在上世纪五十年代Dresselhaus在普通Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中发现晶体反...
骆军委
晶体锗材料的表面非晶化的方法
本发明提供了一种晶体锗材料的表面非晶化的方法，包括：在晶体锗材料表面形成保护层；采用等离子体浸没离子注入技术，向形成有保护层的晶体锗材料表面注入惰性气体原子，使晶体锗材料表面预设深度非晶化；刻蚀保护层，露出非晶化的晶体锗...
何力骆军委温书育朱元昊刘昊文管闪
含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法
本发明公开了一种含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法，包括：制备一种表面具有晶格损伤的晶体材料，其中，晶体材料的晶格损伤层含有惰性气体原子；利用脉冲激光对晶格损伤层进行辐照使晶格损伤层熔融；通过液相外延生长，获得晶格损...
何力骆军委温书育朱元昊刘昊文管闪
文献传递
突破半导体器件功耗瓶颈的光学声子软化理论
2025年
1背景介绍第一次量子革命揭示了量子力学的基本原理,诞生了激光器和晶体管等半导体器件,催生了包括集成电路、光电子器件、传感器、分立器件在内的四大类半导体技术。至今已有11项半导体成果获得诺贝尔物理学奖以及1项获得诺贝尔化学奖,其中,晶体管被认为是20世纪最伟大的发明之一。
曹茹月骆军委
关键词：半导体技术光电子器件分立器件诺贝尔物理学奖诺贝尔化学奖
光电探测器、应变锗基LED及其制备方法
本公开提供一种光电探测器、应变锗基LED以及制备方法，光电探测器包括：依次叠加的衬底、第一半导体层、光探测层和第二半导体层；微纳米孔阵，依次贯穿第二半导体层、光探测层和第一半导体层中的至少一层，用于增强光沿层面方向的传播...
伍绍腾骆军委朱元昊何力
空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法
本发明提出一种空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法，该方法在传统锗量子阱结构的基础上在界面处插入了一个或多个硅原子层，能够获得一个数量级提升的空穴线性Rashba自旋劈裂。本发明还提供了一种超晶格势垒替代硅锗合...
骆军委熊嘉欣刘洋管闪李树深
文献传递
半导体纳米结构的电子结构计算
随着先进薄膜生长工艺和超精细版图技术的出现，已经能够制备出量子阱、量子线和量子点等各种维度的半导体纳米结构。由于载流子运动的量子束缚效应，纳米结构显示出了丰富的光谱结构和新的性质，为基础科学研究提供了丰富的平台，吸引了广...
骆军委
直接带隙发光的硅基材料及制备方法、芯片上发光器件
本发明提供了一种实现兼容CMOS工艺的直接带隙发光的硅基材料及其制备方法，该方法包括步骤：准备硅基材料，所述硅基材料为锗材料或者硅锗合金；在所述硅基材料的部分晶格间隙位置填入惰性气体原子和/或原子序数小的原子达到晶格体积...
骆军委袁林丁李树深
文献传递
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