全冯溪
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 局部双轴应变SiGe材料的生长与表征
- 2011年
- 利用分子束外延(MBE)对双轴应变SiGe局部区域外延生长和表征进行了研究.图形窗口边界采用多晶Si侧墙,多层SiGe薄膜分段温度生长.采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和位错密度测试等多种实验技术,结果表明:薄膜表面窗口内双轴应变SiGe薄膜厚度和Ge组分得到精确控制,垂直应变度达到1.175%,其表面粗糙度为0.45nm,SiGe位错密度为1.2×103cm-2.由于采用多晶Si侧墙,外延材料表面没有发现窗口边缘处明显位错堆积.实验证实,采用该技术生长的局部双轴应变SiGe薄膜质量良好,基本满足SiGe BiCMOS器件制备要求.
- 李竞春杨洪东杨阳全冯溪
- 关键词：位错
- 基于STI的Si材料应力引入技术研究
- 针对应变硅材料制备复杂的现象，研究了一种基于常规Si工艺的浅槽隔离(STI)技术引入应力，并进行了扫描电子显微镜(SEM)，高分辨X射线双品衍射(HXRD)测试。测试结果表明：该实验确实在材料中引入了与分析相同的应力，即...
- 杨阳全冯溪李竞春
- 关键词：硅材料
- 文献传递
- 局部双轴应变SiGe材料的生长与表征
- 本文研究了一种基于MBE的局部双轴应变SiGe外延生长技术。图形窗口边界采用了多晶Si侧墙，窗口内多层SiGe薄膜分段温度生长。通过扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）X射线双晶衍射（XRD）、透射电镜（TE...
- 李竞春杨阳全冯溪杨洪东
- 关键词：表面粗糙度位错密度
- 文献传递
- 一种具有复合应变沟道的CMOS器件
- 本发明涉及半导体器件结构，一种具有复合应变沟道的互补金属氧化物半导体CMOS器件，它具有由两类晶格常数不同的材料交错排列构成的应变沟道，产生张应力或压应力。其中NMOSFET的沟道区由N型第一类材料和第二类材料A交错排列...
- 王向展杜江峰杨洪东李竞春于奇全冯溪
- 文献传递
- 硅材料中氮化硅盖帽层引入应力的研究
- 针对局部产生应力的应变硅技术，本文采用高频PECVD方法，在硅基片上分别淀积不同厚度的氮化硅膜，通过商分辨XRD对以上样品进行摇摆率测试，证实了采用该方法能在硅材料中引入压应力，并且得到应力大小随厚度的变化关系。
- 全冯溪杨阳李竞春
- 关键词：硅材料
- 文献传递
- 硅材料应力引入技术的研究
- 应变硅技术来源于能带工程，通过在器件中引入应力或应变来改变硅的能带结构，从而使得载流子迁移率提高和器件驱动电流增加。应变硅技术包括全局应变和局部应变两大类。前者包括SiGe虚拟衬底技术，绝缘层上锗硅（SGOI）和绝缘层上...
- 全冯溪
- 关键词：硅材料扫描电子显微镜
- 应力类型与方向和沟道晶向对载流子迁移率的影响
- 2010年
- 利用Synopsys公司的Sentaurus TCAD软件,针对Si(100)面的<100>和<110>沟道,系统研究了张/压应力施加在MOS器件不同方向上对载流子迁移率的影响,同时给出了收益表格以供参考。
- 应贤炜杨洪刚全冯溪杨阳王向展
- 关键词：深亚微米压应力
