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刘文安

作品数：13 被引量：5H指数：2
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 8篇多晶
  • 8篇多晶硅
  • 8篇晶体管
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 5篇电路
  • 4篇电路技术
  • 4篇漂移
  • 4篇阈值电压
  • 4篇集成电路
  • 4篇集成电路技术
  • 4篇沟道
  • 2篇电流开关
  • 2篇电学
  • 2篇多晶硅材料
  • 2篇氧化层
  • 2篇有源
  • 2篇双极器件
  • 2篇器件尺寸
  • 2篇浅结

机构

  • 13篇北京大学

作者

  • 13篇刘文安
  • 12篇黄如
  • 12篇张兴
  • 8篇刘金华
  • 2篇王文平
  • 2篇杨胜齐
  • 2篇王阳元

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇世界产品与技...

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 4篇2004
  • 5篇2003
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
垂直沟道场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n<Sup>－</Sup>区，在源端与沟...
刘金华刘文安黄如张兴
文献传递
平面亚0.1μm器件结构和工艺研究
该文重点研究了纳米级栅线务(或者沟道区)和超浅PN结制作这两个当前超短沟器件研制中最困难的领域.侧墙图形转移是目前最成功的制作超细栅线务(超细沟道)的技术,对设备要求比较低,潜力巨大.该文重点研究了单侧墙图形转移实现纳米...
刘文安
关键词：侧墙
亚100纳米MOS半导体器件技术探讨被引量：3
2003年
尽管在过去40年中,IC行业的基本元件——MOS管和基本的电路拓扑逻辑——CMOS都没有根本性的革新,但可以相信,在今后15年内,MOS和CMOS仍然是工业界的主流。在可以预见的很长的一段时间内,没有任何新器件能够对MOS管的地位形成真正的挑战。
刘文安黄如张兴
关键词：栅介质载流子迁移率
垂直沟道场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，...
刘金华刘文安黄如张兴
文献传递
一种组合栅场效应晶体管
本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，...
杨胜齐刘文安黄如王文平张兴王阳元
文献传递
利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀...
刘文安刘金华黄如张兴
文献传递
电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化...
刘文安刘金华黄如张兴
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垂直沟道场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，...
刘金华刘文安黄如张兴
文献传递
垂直沟道场效应晶体管及制备方法
本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n<Sup>-</Sup>区，在源端与沟...
刘金华刘文安黄如张兴
文献传递
电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化...
刘文安刘金华黄如张兴
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