刘金华
- 作品数：13 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
- 本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化...
- 刘文安刘金华黄如张兴
- 文献传递
- 垂直沟道器件的研究与进展被引量：1
- 2003年
- 介绍了垂直沟道器件的常见结构和工艺,分析了垂直沟道器件的最新进展以及垂直沟道器件制作工艺中的最新技术,详细讨论了垂直沟道器件的性能,并分析了垂直沟道器件的优点以及存在的问题。
- 刘金华黄如张兴周发龙
- 关键词：MOSFETCMOS器件
- 硅台垂直双栅器件结构和特性研究
- 该论文完全基于平面MOS工艺,提出民硅台垂直双栅器件的结构,摸索出了可行的工艺方案,完成了短沟双栅自对准的硅台垂直双栅MOSFET器件的制备,并对硅台侧墙MOS电容和硅台垂直双栅nMOSFET的直流电学特性进行了测量和分...
- 刘金华
- 关键词：多晶硅自对准HALOMOSFET
- 利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法
- 本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米CMOS器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀...
- 刘文安刘金华黄如张兴
- 文献传递
- 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n<Sup>－</Sup>区，在源端与沟...
- 刘金华刘文安黄如张兴
- 文献传递
- 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，...
- 刘金华刘文安黄如张兴
- 文献传递
- ErO<,2>单晶Al<,2>O<,3> Ni基片上YBCD超导厚膜的研究
- 刘金华
- 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
- 本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加LDD结构，在源端形成Halo结构；即，对于n型管，在漏端与沟道之间增加一个n<Sup>-</Sup>区，在源端与沟...
- 刘金华刘文安黄如张兴
- 文献传递
- 电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
- 本发明提供了一种感应源漏扩展区MOS晶体管结构及其制备方法。该结构采用倒置多晶硅侧墙充当感应源漏扩展区栅极；感应源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时沟道区利用倒置多晶硅侧墙形成；栅电极和倒置多晶硅侧墙之间有二氧化...
- 刘文安刘金华黄如张兴
- 文献传递
- ZrO/2 单晶Al/2 O/3,Ni基片上YBCO超导厚膜的研究
- 刘金华
- 关键词：超导材料厚膜电泳法
