史富荣
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- 退火温度对MnZn铁氧体薄膜性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法在Si(111)基片上沉积了MnZn铁氧体薄膜,用X射线衍射仪(XRD)分析薄膜的物相结构,用振动样品磁强计(VSM)测量薄膜面内饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc。结果表明:随着退火温度的升高,MnZn铁氧体薄膜的X射线衍射峰强度逐渐增强,且主峰逐渐由(311)峰变为(222)峰,沿(111)面取向生长明显。薄膜的饱和磁化强度和矫顽力均随着退火温度的升高而升高。
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- 关键词：射频磁控溅射相结构饱和磁化强度矫顽力
- NiFe_2O_4铁氧体薄膜溅射产额的蒙特卡罗模拟
- 2011年
- 通过蒙特卡罗方法,运用SRIM程序,模拟了Ar+轰击NiFe2O4铁氧体靶材的过程,研究了不同入射能量及角度Ar+轰击NiFe2O4靶材引起的溅射产额。结果表明:离子垂直入射时NiFe2O4中各元素的溅射产额和出射原子能量都随入射离子能量的增大而增大;各元素产额的比率在低能离子入射时,变化较大,但能在较大的入射离子能量范围内保持相对稳定的值;离子斜入射时,随着入射离子角度增加,各元素的溅射产额先增大,后减小,并在77°左右达到最大值;离子入射角度变化时,并不严重影响各元素之间产额的比率,且组分比率能在较大的离子入射角度范围内保持相对稳定的值。
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- 关键词：蒙特卡罗方法
- 基于SOC应用的MnZn铁氧体薄膜研究
- 随着信息技术应用范围扩大和电子产品数字化发展，对电子器件和作为电子元器件的基础材料提出了更高的要求。目前，集成电路技术依然是以SIP(system in package)技术为主，这是因为电感元件占据了太大的面积，很难集...
- 史富荣
- 关键词：射频磁控溅射法微观形貌磁性能
- 文献传递
