祁康成
- 作品数：126 被引量：175H指数：7
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目中央高校基本科研业务费专项资金国防科技工业技术基础科研项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 发光二极管表面金属周期性亚波长结构
- 本实用新型涉及发光二极管表面金属周期性亚波长结构。发光二极管表面金属周期性亚波长结构，在半导体发光二极管的P型GaN层和N型GaN层上裸露的并且未被N电极和P电极覆盖的区域设置一层金属周期性亚波长结构，所述金属周期性亚波...
- 林祖伦宋科田祁康成曹贵川
- 文献传递
- 多晶硅TFT的发展与应用被引量：6
- 2005年
- 多晶硅TFT具有优良的电学性能,在显示中能够提供更亮、更精细的画面,被视为非晶硅TFT的理想替代品而被广泛地研究。本文主要评述非晶硅的晶化机理和主要研究结构,并简要介绍其应用。
- 王恒和祁康成
- 关键词：多晶硅晶化机理薄膜晶体管
- 场发射显示器中的电子光学系统虚拟仿真实验
- 2017年
- 对场致发射显示器件(FED)中电子光学系统的仿真实验提出了一套完整的设计方案。利用计算机模拟软件EBS对FED电子光学系统进行建模,实现了对极间各处电位分布、电场强度大小、电子束轨迹、阳极束斑尺寸的模拟,并以直观的形式对模拟结果做出了展示。学生通过该仿真实验可深刻理解FED结构、工作原理及场发射现象的基础知识。该仿真模型也可用于其他场发射器件。
- 王小菊邓江祁康成曹贵川敦涛
- 关键词：场发射显示电场强度
- 辐射加热进行YAG与九五瓷的真空扩散焊接研究
- 2001年
- 钇铝石榴石 (YAG)单晶可以作为投影管的发光屏衬底材料 ,因为YAG的膨胀系数与九五瓷相近 ,利用金属铝在真空中向YAG和陶瓷中扩散实现扩散焊接。采用辐射加热方式 ,在温度为 6 0 0℃ ,压力为 2 5N/mm2 条件下扩散 2 5min ,封接气密性优于 2× 10 -13Pam3/s,封接强度高。
- 祁康成
- 关键词：钇铝石榴石真空投影管
- 光寻址液晶光阀的吸收层被引量：7
- 2002年
- 光寻址液晶光阀是一种高分辨率空间光调制器，是高亮度，高分辨率大屏幕光寻址液晶光阀投影机的核心部件，为了避免读出光对图像对比度和分辨率的影响，光阀结构中需要一层高光吸收能力的吸收层。本文讨论了光寻址液晶光阀对光吸收层的吸收性能要求，吸收层需求在全光谱范围内都有比较强的吸收，碲化镉薄膜对蓝，绿光有较强的吸收，钒氧配套红光具有较强的吸收，它们具有近似互补的吸收光谱。碲化镉和钒氧酞菁复合多层吸收薄膜综合了两种材料的光吸收特性，在全光谱范围内都有良好的吸收，是一种制作光寻址液晶光阀的吸收层的理想方法。
- 祁康成
- 关键词：碲化镉空间光调制器
- 多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究被引量：2
- 2005年
- 由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降低带隙密度的方法—氢化。
- 陈飞祁康成
- 关键词：晶粒间界多晶硅TFT有源层多晶硅薄膜带隙载流子
- 基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
- 2018年
- 该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,当钎焊温度为850℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的增加而迅速减小;在降温过程中,高温区逐渐向硅基底扩展,温度沿焊缝方向呈对称分布,焊缝中心温度高,两边温度低。测试结果表明,钎焊接头组织致密,焊缝结合良好,没有裂纹和空洞等缺陷,且钎料对硅基底的影响很小。这是一种可行的、低成本的实现硅基场发射阵列阴极焊接的有效方法。
- 王小菊敦涛马祥云徐如祥祁康成曹贵川林祖伦
- 关键词：ANSYS钎焊钼
- p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
- 2007年
- 以NH3和SiH4为反应源气体，采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（P-Si）衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对siN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响，在制备高质量的P-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
- 张化福刘汉法祁康成
- 关键词：PECVD
- 场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响
- 2009年
- 研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使高逸出功的p-Si基底与Mo尖锥形成Mo为阳极、p-Si为阴极而导致Mo尖锥被腐蚀;低逸出功n-Si基底则避免了这种现象的发生。
- 裴文俊林祖伦祁康成王小菊
- 关键词：场发射阵列硅片牺牲层逸出功
- 钪钨基体钡钨热阴极发射性能研究被引量：2
- 2012年
- 为获得电子发射性能优异的含钪钡热钨阴极,采用液固掺杂、掺杂钨粉还原、等静压制、高温烧结、浸渍发射物质等工艺,制备出钪钨基体钡钨热阴极。对该阴极的发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1050℃、1100℃时,脉冲发射电流密度分别为53.6A/cm2、65.7A/cm2、79A/cm2。分析认为,由于氧化钪均匀地覆盖在钨颗粒的表面,氧化钪与钨接触面增多,使氧化钪与钨的结合力增大,因此该阴极具有均匀性良好的热电子发射,较好的抗离子轰击能力。
- 曹贵川林祖伦祁康成王小菊
- 关键词：氧化钪钡钨阴极电流密度
