林祖伦
- 作品数：125 被引量：239H指数：8
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：四川省应用基础研究计划项目国防科技工业技术基础科研项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术机械工程更多>>
- 发光二极管表面金属亚波长嵌入式光栅结构及制备方法
- 本发明涉及发光二极管表面金属亚波长嵌入式光栅结构及制备方法。位于包含衬底、n型层、发光层和p型层的LED芯片的p型层之上，其特征在于，所述金属亚波长嵌入式光栅结构包括隔离层、纳米金属体和保护层，所述隔离层嵌入到p型层上表...
- 林祖伦宋科田祁康成曹贵川
- 文献传递
- AMOLED电流镜像像素电路的稳定性分析被引量：1
- 2009年
- a-Si:HTFT在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成OLED的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的工作原理,结合a-Si:HTFT阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定性。
- 曹伟林祖伦何世东
- 关键词：有机电致发光二极管
- 复合型场发射阵列失效性研究被引量：2
- 2009年
- 复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采用了三种工艺改进方法,在真空环境中600℃高温退火;在氢气中进行氢化处理;对器件进行15 h的老炼。改进工艺后开启电压由75 V降到60 V,阳极收集最大电流从150μA提高到300μA,充分说明了改进工艺的可行性。
- 李东方林祖伦陈文彬代令何世东曹伟
- 关键词：场发射阵列退火老炼
- AMOLED像素电路的设计与仿真研究被引量：3
- 2011年
- 为了解决驱动管阈值电压漂移带来的OLED亮度不均匀的问题,介绍了一种新的AMOLED四管像素电路,利用HSPICE仿真软件详细分析了电路各参数对其输出特性的影响,同时给出了参数设计的方法。最后从延长OLED的使用寿命出发,对电路进行了改进并根据已设计的参数进行了仿真,结果表明改进后的电路功能不变,且在驱动阶段,驱动电流变化为0.01μA,小于一个灰阶对应的电流,满足显示的要求。
- 沈匿林祖伦陈文彬祁康成王小菊杨隆杰
- 关键词：AMOLED仿真阈值电压漂移多晶硅薄膜晶体管
- FTO导电玻璃对太阳电池窗口层材料的影响被引量：4
- 2010年
- P型微晶碳化硅薄膜(P-μc-SiC∶H)作为非晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料,能够提高P层的光学带隙,增加窗口层可见光部分的透光率,从而提高太阳电池的填充因子和转换效率。本文研究射频功率、反应温度、SiH4和CH4气体流量比对FTO导电玻璃上P型μc-SiC∶H薄膜的光学带隙、透光率的影响。并在相同工艺条件下对比三种主流导电玻璃(ITO、AZO、FTO)上的薄膜光学特性,找到最适合做太阳能电池P-μc-SiC∶H薄膜的基板。
- 权祥林祖伦张国宏文永亮刘曾怡
- 关键词：FTO
- 碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究被引量：2
- 2010年
- 采用电泳沉积法在玻璃基板上成功制备出碳纳米管场发射阴极,采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并对制备的碳纳米管阴极进行场发射测试。实验结果表明电泳2min沉积的碳纳米管薄膜均匀连续且具有较好的场发射特性,其开启电场为3.1V/μm,当外加电场强度为11.5V/μm时场发射电流密度达到11.33mA/cm2,经过10V/μm的电场激活处理后样品具有较好的场发射稳定性。
- 文永亮林祖伦王小菊权祥张国宏
- 关键词：碳纳米管电泳沉积场发射
- 一种投影仪用光学引擎
- 一种投影仪用光学引擎，属于投影显示技术领域。RGB三基色激光光源产生的激光分别经三个光束耦合器输出三组阵列光；匀光系统包括三个准直透镜阵列，每个准直透镜阵列由光学长度为1/4节距的渐变折射率透镜单元组成；三组阵列光分别经...
- 祁康成芮大为林祖伦王小菊曹贵川陈文彬
- 文献传递
- 基于ANSYS的场发射阵列阴极焊接应力研究
- 2018年
- 该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,当钎焊温度为850℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的增加而迅速减小;在降温过程中,高温区逐渐向硅基底扩展,温度沿焊缝方向呈对称分布,焊缝中心温度高,两边温度低。测试结果表明,钎焊接头组织致密,焊缝结合良好,没有裂纹和空洞等缺陷,且钎料对硅基底的影响很小。这是一种可行的、低成本的实现硅基场发射阵列阴极焊接的有效方法。
- 王小菊敦涛马祥云徐如祥祁康成曹贵川林祖伦
- 关键词：ANSYS钎焊钼
- 场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响
- 2009年
- 研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使高逸出功的p-Si基底与Mo尖锥形成Mo为阳极、p-Si为阴极而导致Mo尖锥被腐蚀;低逸出功n-Si基底则避免了这种现象的发生。
- 裴文俊林祖伦祁康成王小菊
- 关键词：场发射阵列硅片牺牲层逸出功
- 金属/绝缘体的场致发射
- 2001年
- 本文推导了金属 /绝缘体场致发射电流密度公式 ,并应用于金刚石 /碳薄膜场致发射 ,对其现象获得较好的解释 ,同时指出了提高发射电流密度的因素和相应方法。
- 杨健君林祖伦成建波
- 关键词：场致发射
