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胡媛

作品数：5 被引量：3H指数：1
供职机构：安徽大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路结构
  • 1篇电路结构设计
  • 1篇性能研究
  • 1篇亚阈值
  • 1篇亚阈值特性
  • 1篇英文
  • 1篇摄动
  • 1篇摄动方程
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇量子
  • 1篇量子限制效应
  • 1篇纳米MOSF...
  • 1篇介质
  • 1篇非易失性
  • 1篇非易失性存储
  • 1篇非易失性存储...
  • 1篇SPICE仿...
  • 1篇LDMOS

机构

  • 5篇安徽大学

作者

  • 5篇胡媛
  • 5篇陈军宁
  • 5篇代月花
  • 5篇柯导明
  • 1篇刘琦
  • 1篇刘宁
  • 1篇孙家讹
  • 1篇李德君

传媒

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
异质双栅结构LDMOS的物理建模和仿真被引量：2
2007年
对一种采用新结构的LDMOS(lateral double diffused metal oxide semiconductor)器件建立了模型.该器件在LDMOS中采用异质双栅(dual material gate,DMG)结构,这样使得该器件(DMG-LDMOS)同时具有LDMOS和DMG MOSFET的特性和优点.给出了DMG-LDMOS中沟道区表面电势和电场的一维表达式,并在此基础上考虑了大驱动电压下引入的沟道载流子速度过冲效应的影响,建立了基于物理的沟道电流模型.最后比较了Medici器件仿真结果和所建立的沟道电流模型,验证了该模型的可用性.
胡媛代月花陈军宁柯导明刘琦
关键词：LDMOS器件
研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的一种新方法(英文)
2007年
提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作用的耗尽层近似和页面电荷模型在求解过程中被避免,由此可以解得一个指数形式的亚阈值电流的表达式,从而得到关于亚阈值摆幅变化的解析表达式.通过把所建立的解析模型的计算结果和Medici仿真软件的模拟结果进行比较,可以证明该适用于分析亚阈值区工作特性的模型具有相当的准确性和可用性.
代月花陈军宁柯导明胡媛
关键词：摄动方程亚阈值特性
纳米MOSFET迁移率解析模型
2006年
从玻尔兹曼方程出发,重新计算了纳米MOSFET沟道内的载流子所服从的分布函数,特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电场之间的相互作用,并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础,考虑载流子寿命和速度的统计分布,给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析表达式.通过与数值模拟结果进行比较和分析,该迁移率解析模型形式简洁、物理概念清晰,且具有相当精度.
代月花陈军宁柯导明孙家讹胡媛
关键词：玻尔兹曼方程纳米MOSFET迁移率
Au纳米晶MIS结构存储性能研究
2009年
从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径,建立了纳米晶浮栅结构的存储模型,并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响。基于模型计算,分析了纳米晶材料、高k隧穿介质材料及其厚度对纳米晶浮栅结构存储性能的影响。同时,制作了MIS结构(Si/ZrO2/Au Ncs/SiO2/Al)的存储单元,针对该存储单元的电荷存储能力和电荷保持特性进行测试,并对测试结果进行分析。
刘宁代月花陈军宁柯导明胡媛
关键词：量子限制效应
阻变型非易失性存储器单元电路结构设计与Spice仿真被引量：1
2009年
为进一步确定阻变型非易失性存储器的擦写速度、器件功耗和集成度等实用化的性能指标,设计RRAM存储器单元电路结构,并使用HSpice软件分别对RRAM存储器单元结构电路的延时和功耗性能进行仿真。同时,通过仿真对双极型和单极型两种电阻转变类型及器件工艺进行比较和分析,确定1T1R结构电路单元适用于双极型阻变型非易失性存储器件,并且电路仿真的结果为阻变型非易失性存储器的进一步实用化提供了参考。
李德君代月花陈军宁柯导明胡媛
关键词：非易失性存储器
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