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赵洪辰

作品数：23 被引量：54H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇SOI
  • 4篇电子能
  • 4篇电子能谱
  • 4篇抗辐照
  • 4篇各向异性磁电...
  • 4篇光电子能谱
  • 4篇X射线
  • 4篇磁电
  • 4篇磁电阻
  • 3篇英文
  • 3篇总剂量
  • 3篇总剂量辐照
  • 3篇辐照
  • 3篇辐照效应
  • 3篇X射线光电子...
  • 3篇NMOSFE...
  • 2篇电路
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇全耗尽

机构

  • 20篇中国科学院微...
  • 9篇北京科技大学
  • 4篇钢铁研究总院

作者

  • 23篇赵洪辰
  • 13篇韩郑生
  • 13篇海潮和
  • 11篇钱鹤
  • 9篇于广华
  • 7篇朱逢吾
  • 4篇连军
  • 4篇司红
  • 3篇马纪东
  • 3篇龙世兵
  • 3篇夏洋
  • 2篇杨荣
  • 2篇张国海
  • 1篇夏洋
  • 1篇柴淑敏
  • 1篇苏世漳
  • 1篇柴春林
  • 1篇李海峰
  • 1篇腾蛟
  • 1篇刘运龙

传媒

  • 6篇Journa...
  • 3篇真空科学与技...
  • 3篇电子器件
  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇北京科技大学...
  • 2篇科学通报
  • 1篇功能材料
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 6篇2004
  • 7篇2003
  • 1篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiO_2/Ta界面反应及其对铜扩散的影响(英文)被引量：1
2002年
利用磁控溅射方法在表面有SiO2 层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜 ,采用X射线光电子能谱 (XPS)研究了SiO2 /Ta界面以及Ta5Si3 标准样品 ,并进行计算机谱图拟合分析 .实验结果表明在制备态下在SiO2 /Ta界面处发生了热力学上有利的化学反应 :37Ta +15SiO2 =5Ta5Si3 +6Ta2 O5,界面处形成更稳定的化合物新相Ta5Si3 、Ta2 O5.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡 .
龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋
关键词：扩散阻挡层X射线光电子能谱XPS
SiO_2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响被引量：2
2003年
利用磁控溅射方法在表面有SiO2层的Si基片上溅射Ta薄膜,采用X射线光电子能谱研究了SiO2/Ta界面以及Ta5Si3标准样品,并进行计算机谱图拟合分析.实验结果表明在制备态下在SiO2/Ta界面处有更稳定的化合物新相Ta5Si3和Ta2O5生成.在采用Ta作阻挡层的ULSI铜互连结构中这些反应产物可能有利于对Cu扩散的阻挡.
龙世兵马纪东于广华赵洪辰朱逢吾张国海夏洋
关键词：互连线扩散阻挡层X射线光电子能谱钽超大规模集成电路互连结构
N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究
2004年
选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,并发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为50.5 ps。
连军海潮和韩郑生赵洪辰杨荣
关键词：SIMOX全耗尽
SOI CMOS抗辐照技术研究
赵洪辰
关键词：半导体集成电路CMOS电路SOI结构辐照效应
SIMOX材料在全耗尽CMOS器件中的应用
本文选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行研究,开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,经过投片,获得了性能...
连军海潮和韩郑生赵洪辰杨荣
关键词：SOISIMOXCMOS器件衬底材料
文献传递
工艺参数对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性及微结构影响被引量：7
2001年
在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚度的Ｎｉ８１Ｆｅ１９／Ｔａ薄膜，并进行了磁性测量 和原子力显微镜分析．结果表明，较厚的薄膜、较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄 膜有较大的各向异性磁电阻．其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒度和低粗糙度，进 而降低电子的散射，减小电阻Ｒ，增大△Ｒ／Ｒ．而较厚薄膜中，大晶粒度的作用将抵消高粗糙度的 负作用，使△Ｒ／Ｒ值增大．
赵洪辰于广华金成元苏世漳朱逢吾
关键词：各向异性磁电阻表面粗糙度晶粒尺寸微结构
隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响被引量：1
2004年
在 SIMOX和 Smart- cut SOI衬底上采用 L OCOS和 MESA隔离技术制备了部分耗尽 PMOSFET,虽然 L O-COS隔离器件的阈值电压较小 ,但其跨导和空穴迁移率明显小于 MESA隔离器件 .模拟表明 ,L OCOS场氧生长过程中 ,由于 Si O2 体积膨胀 ,在硅膜中形成较大的压应力 ,从而降低了空穴的迁移率 .
赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤
关键词：MESA迁移率应力
两次沟道注入对SOI PMOS器件特性的改进研究
SOI PMOS的背栅为零伏时,相对于源来说是负电压,容易造成漏电.通过优化两次沟道注入的剂量和能量,制备的SOI PMOS器件背沟道阈值电压大于-10V,漏电小于0.1nA,能够满足实际应用的要求.
赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤连军
文献传递
SOIMOSFET寄生双极晶体管效应的研究被引量：2
2004年
研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对 SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响。提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益。原因是 :1基区杂质浓度增加 ,减弱了发射极向基区注入多子 ,增强了基区向发射区的少子注入 ;2增加硅化物厚度会增加其横向扩展 。
赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤
关键词：增益硅化物
一种抗总剂量辐照的NMOSFETs被引量：1
2004年
在商用 SIMOX衬底上制备了抗辐照 NMOSFETs,使用的主要技术手段有 :氮化 H2 -O2 合成栅介质加固正栅 ;增加体区掺杂 ,以提高背栅阈值电压 ;采用 C型体接触结构 ,消除边缘寄生晶体管。结果表明 ,在经受 1× 1 0 6 rad( Si)的辐照后 。
赵洪辰海潮和韩郑生钱鹤
关键词：总剂量辐照
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