郭倩
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
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- 相关领域：电子电信交通运输工程机械工程一般工业技术更多>>
- 硼掺杂浓度对金刚石薄膜电极的影响
- 2013年
- 金刚石由于其独特的物理和化学性质,使其成为电极材料的首选。通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽片上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极。通过掺入硼元素在金刚石带隙间引入杂质能级,改变了电极的电学特性,同时硼替位碳原子改变了金刚石的结构。通过原子力显微镜(AFM)和循环伏安法(CV)分析讨论了硼掺杂浓度对BDD电极的表面形貌和电化学特性的影响。结果表明,优化硼掺杂浓度可以使薄膜有好的致密性和稳定的电化学性质。硼掺杂浓度优化后制备的BDD电极电化学窗口可达3.8 V。
- 郭倩檀柏梅高宝红甄加丽赵云鹤
- 关键词：硼掺杂
- Z公司H发动机装配线平衡问题分析与优化研究
- 伴随着经济全球化和产品需求个性化程度的加深,制造者面临着迄今为止最大的难题:怎样为消费者提供价格最低、交期最短、服务最优、质量最好的产品。企业想要在激烈的市场中提高自身的竞争优势就必须要紧跟时代步伐,不断完善和提升自己。...
- 郭倩
- 关键词：装配线平衡
- sol-gel法制备CuO掺杂的TiO_2厚膜及其气敏特性
- 2014年
- 采用溶胶凝胶法制备了纯TiO2和掺杂质量分数为5%,7%和9%CuO的TiO2纳米粉体,并对样品进行了不同温度(500,700和900℃)的退火处理。通过涂敷法制备成气敏元件,利用XRD和SEM对样品的结构和表面形貌进行了表征,并利用气敏测试系统检测其气敏特性。研究了CuO掺杂质量分数和退火温度对TiO2厚膜气敏性能的影响,进一步讨论了TiO2厚膜的气敏机理。结果表明:CuO的掺杂有效抑制了TiO2晶粒的生长,增加了对光子的利用率,降低了工作温度,提高了气敏特性。700℃退火后,质量分数为7%的CuO掺杂TiO2样品的结晶尺寸达到14.5 nm,气敏元件表现出对丙酮蒸汽单一的选择性,灵敏度为3 567,响应和恢复时间均为2 s。
- 张炳强潘国峰张培硕郭倩
- 关键词：溶胶凝胶法气体传感器退火温度
- 电化学制备新型氧化液在铜CMP中的应用
- 2013年
- 在铜化学机械抛光(CMP)中,双氧水易分解的不稳定性严重制约铜化学机械抛光速率。为了寻求一种稳定性好且氧化能力强的新型氧化液,采用电化学方法电解水基硫酸盐,得到了氧化性很强且稳定的过氧焦硫酸盐氧化液。采用自制的氧化液配制抛光液进行铜CMP实验,分别改变氧化液、硅溶胶磨料和螯合剂的浓度,分析了各组分的作用,得到了抛光液的优化配比,获得了较高的去除速率和较低的表面粗糙度。抛光速率达889.44 nm/min,粗糙度达6.3 nm,满足工业应用要求。
- 甄加丽檀柏梅高宝红郭倩赵云鹤
- 关键词：电化学去除速率
- 不同磨料对蓝宝石CMP的影响被引量：6
- 2014年
- 在化学机械抛光(CMP)系统中,磨料是决定去除速率和表面状态的重要因素。在单一磨料下进行了单因素实验,在不同的压力、转速、流量和温度下对比了SiO2磨料和Al2O3磨料对蓝宝石去除速率及表面状态的影响;同时也探究了混合磨料对蓝宝石去除速率的影响。研究表明,在单一磨料的CMP实验中,当压力为4 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、转速为80 r/min、流量为70 mL/min和温度为35℃时,SiO2磨料对蓝宝石的去除速率高,表面状态好;在混合磨料的CMP实验中,和单一的SiO2磨料相比,Al2O3/SiO2混合磨料对蓝宝石的去除速率要低很多,而SiO2/CeO2混合磨料的去除速率要比单一SiO2磨料的略高一些。
- 赵云鹤檀柏梅牛新环甄加丽郭倩
- 关键词：蓝宝石混合磨料去除速率
