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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇强流氧离子注...
  • 1篇注入机
  • 1篇污染
  • 1篇离子
  • 1篇离子源
  • 1篇离子注入
  • 1篇离子注入机
  • 1篇金属污染

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇贾京英
  • 1篇郭健辉
  • 1篇刘咸成
  • 1篇唐景庭
  • 1篇伍三忠

传媒

  • 1篇集成电路应用

年份

  • 1篇2003
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一台专用强流氧离子注入机的研制被引量:2
2003年
制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了SOI材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别:注氧时间长,注入剂量大,注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温,金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。
唐景庭伍三忠贾京英郭健辉刘咸成
关键词:离子源金属污染
共1页<1>
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