您的位置： 专家智库 > >

陈世杰

作品数：34 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程金属学及工艺理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 17篇界面层
  • 16篇半导体
  • 11篇阈值电压
  • 11篇介质层
  • 11篇半导体器件
  • 10篇退火
  • 9篇金属栅
  • 8篇栅极
  • 6篇栅极结构
  • 6篇介质
  • 6篇金属
  • 6篇衬底
  • 5篇栅介质
  • 5篇退火工艺
  • 5篇介电
  • 5篇介电常数
  • 5篇高K栅介质
  • 5篇高介电常数
  • 5篇CMOSFE...
  • 4篇氧分子

机构

  • 32篇中国科学院微...
  • 2篇重庆邮电大学

作者

  • 34篇陈世杰
  • 32篇王文武
  • 23篇陈大鹏
  • 18篇韩锴
  • 18篇王晓磊
  • 4篇朱慧珑
  • 3篇蔡雪梅
  • 1篇王宝英
  • 1篇张树人
  • 1篇郭曙光
  • 1篇吴贵能

传媒

  • 2篇电子工业专用...
  • 1篇重庆邮电大学...

年份

  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 2篇2012
  • 14篇2011
  • 8篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
共 34 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
前栅工艺下高k/金属栅CMOS器件EOT控制技术研究被引量：1
2010年
随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k)取代SiO2已成为必然趋势。而在前栅工艺下,SiO2界面层生长问题严重制约了EOT的缩小以及器件性能的提升。介绍了一种前栅工艺下的高k/金属栅结构CMOS器件EOT控制技术,并成功验证了Al元素对SiO2界面层的氧吸除作用。
陈世杰蔡雪梅
关键词：高K栅介质EOT
互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法
本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法...
王文武陈世杰
文献传递
CMOS器件金属栅极及其形成方法
本发明提供一种CMOS器件金属栅极及其形成方法。通过本发明所提供的技术方案，通过改变金属栅极的厚度，能够使金属栅极材料在相同高介电常数栅介质上的有效功函数值发生明显变化，从而能够以简单有效的方式实现对有效功函数的调节，并...
王文武陈世杰陈大鹏
文献传递
一种半导体器件的制造方法
一种半导体器件的制造方法，所述方法在栅介质层之间或栅介质层之上形成氧吸除层，在之后的高温退火过程中，界面层中的氧被驱动与这些氧吸除层形成金属氧化物，从而导致界面层厚度变小，甚至消失，有效减小了EOT；同时，在源/漏退火过...
王文武陈世杰王晓磊韩锴
文献传递
半导体结构及其形成方法
本发明提出一种MOS半导体器件的栅极结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的界面层薄膜；形成在所述界面层薄膜之上的高k栅介质层；和形成在所述高k栅介质层之上的金属栅极，所述金属栅极从下至上依次包括金属栅功函数层、氧吸除元素...
陈世杰王文武王晓磊韩锴
文献传递
一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法
本发明公开了一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法，该方法包括：采用化学方法制备绝缘性金属氮化物薄膜；用Ar离子轰击该绝缘性金属氮化物薄膜表面，减小该绝缘性金属氮化物薄膜中氮元素的含量，将该绝缘性金属氮化物薄膜转变为金属性金...
陈世杰王文武
调节高k栅介质和金属栅结构pMOSFET器件阈值电压的方法
本发明公开了一种调节高k栅介质和金属栅结构pMOSFET器件阈值电压的方法，该方法包括：在SiO<Sub>2</Sub>界面层生长完之后，在SiO<Sub>2</Sub>界面层上生长包含Al元素的铪基或镧基高k栅介质层，...
王文武陈世杰陈大鹏
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极；在所述栅电极上形成金属氧吸除层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属氧吸除层吸除界...
韩锴王文武王晓磊陈世杰陈大鹏
控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法
本发明公开了一种利用栅叠层结构控制器件阈值电压的CMOSFETs结构及其制造方法。结构包括：硅衬底；在硅衬底上生长的SiO<Sub>2</Sub>界面层；在SiO<Sub>2</Sub>界面层上沉积的高k栅介质层；在高k...
王文武朱慧珑陈世杰陈大鹏
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极；在所述栅电极上形成金属氧吸除层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属氧吸除层吸除界...
韩锴王文武王晓磊陈世杰陈大鹏
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0