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韩锴

作品数：46 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信交通运输工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 35篇半导体
  • 28篇半导体器件
  • 21篇界面层
  • 19篇金属栅
  • 16篇栅极
  • 15篇阈值电压
  • 12篇退火
  • 12篇介质层
  • 10篇栅极结构
  • 8篇功函数
  • 7篇氧化层
  • 7篇热退火
  • 7篇金属
  • 6篇退火工艺
  • 6篇吸氧
  • 6篇介质
  • 6篇衬底
  • 5篇导体
  • 5篇替代工艺
  • 5篇迁移率

机构

  • 46篇中国科学院微...

作者

  • 46篇韩锴
  • 46篇王文武
  • 41篇王晓磊
  • 29篇陈大鹏
  • 22篇马雪丽
  • 18篇陈世杰
  • 13篇杨红
  • 4篇殷华湘
  • 4篇闫江
  • 4篇赵超
  • 1篇蔡雪梅

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 9篇2014
  • 7篇2013
  • 6篇2012
  • 16篇2011
  • 1篇2010
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体结构及其制作方法
本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括包括P型衬底、依次位于所述衬底之上的介质层、高k材料层和金属栅层，所述半导体结构还包括：位于所述金属栅层之上的氧吸除层；以及位于所述氧吸除层之上的高功函数层，...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
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一种低功函数金属栅形成方法
本发明实施例公开了一种低功函数金属栅形成方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上生长界面层薄膜；在界面层薄膜上生长高K栅介质层；在高K栅介质层上沉积金属栅功函数层；在金属栅功函数层上沉积功函数调节层；在功函数调节层上沉积填充...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
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具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及一种具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管的制造方法，互补场效应晶体管包括第一晶体管，第二晶体管，用于隔离第一晶体管和第二晶体管的隔离结构，其特征在于，包括：在衬底上沉积栅介质层；在栅介质层上沉积第一导电材料层；...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
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一种半导体器件及其制造方法
本发明是在栅极替代工艺(Replacement gate或Gate last)制备CMOS晶体管过程中，在NMOS器件区域和PMOS器件区域形成高k栅介质层后，分别形成属于NMOS区域的第一功函数调节介质层和属于PMOS...
王文武韩锴王晓磊马雪丽陈大鹏
一种半导体器件的形成方法及其半导体器件
本发明提供了一种半导体器件的形成方法及其半导体器件。其中，该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘界面层；在绝缘界面层上形成第一金属层；在第一金属层上形成栅介质层；在栅介质层上形成第二金属层；对所述器件进行加工...
王晓磊王文武韩锴陈大鹏
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栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件
本公开涉及栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件。本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和所述pMOSFET区分别具...
杨红马雪丽王文武韩锴王晓磊殷华湘闫江
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一种半导体器件及其制造方法
一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成伪栅极区、在所述栅极区的侧壁上形成侧墙以及在伪栅极区两侧的半导体衬底内形成源漏区，所述伪栅极区包括界面层和伪栅电极；在所述伪栅极区以及源漏区上形成...
王文武赵超韩锴陈大鹏
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具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法
本发明涉及一种具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管的制造方法，互补场效应晶体管包括第一晶体管，第二晶体管，用于隔离第一晶体管和第二晶体管的隔离结构，其特征在于，包括：在衬底上沉积栅介质层；在栅介质层上沉积第一导电材料层；...
韩锴王晓磊王文武杨红马雪丽
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一种半导体器件及其制造方法
一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成伪栅极区、在所述栅极区的侧壁上形成侧墙以及在伪栅极区两侧的半导体衬底内形成源漏区，所述伪栅极区包括界面层和伪栅电极；在所述伪栅极区以及源漏区上形成...
王文武赵超韩锴陈大鹏
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一种半导体工艺的测试结构及其制造方法
本发明公开了一种半导体工艺的测试结构及其形成方法，所述方法包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域和第二区域由隔离区分隔；分别在第一区域上形成第一器件、第二区域上形成第二器件，所述第一器件包括第一金属栅...
王文武韩锴马雪丽陈大鹏
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