- WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性被引量：1
- 1990年
- 本文用俄歇能谱、卢瑟福背散射、电流-电压和电容-电压等方法研究了射频磁控反应溅射制备的WN_x/n-GaAs肖特基势垒特性。结果表明,经800℃快速热退火后,WN_x/n-GaAs势垒具有良好的整流特性和高温稳定性,其势垒高度为0.79ev,理想因子为1.19。在自对准GaAs MESFET工艺中,WN_x是一种好的栅材料。
- 张利春高玉芝宁宝俊方克微汪锁发柴淑敏
- 关键词：砷化镓肖特基势垒溅射
- 全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAs MESFET技术研究
- 1996年
- 本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层，制作出了可用于ＧａＡｓ超高速集成电路的场效应晶体管，晶体管的跨导为１６０ｍＳ／ｍｍ，其栅漏反向击穿电压大于５Ｖ．
- 高玉芝张利春尹红坤宁宝俊
- 关键词：MESFET砷化镓全离子注入
- 硅器件芯片背面银系溅射金属化
- 本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具...
- 张利春赵忠礼高玉芝宁宝俊王阳元
- 金属硅化物—硅功率肖特基二极管被引量：4
- 1993年
- 本文用X射线衍射(XRD)方法、俄歇电子能谱(AES)分析和电学测量方法研究了Ti/Si、Ni/Si和Cr/Si三种结构的金属硅化物的形成和特性。用电流—电压法和电容—电压法测量分析了TiSi_2/n-Si、Nix/n-Si和CrSi_2/n-Si三种肖特基势垒二极管特性,其势垒高度分别为0.61eV、0.66eV和0.66eV,理想因子均接近1。用此项技术制作的金属硅化物—n型硅肖特基功率二极管有优异的电学性能。
- 宁宝俊高玉芝赵忠礼张利春
- 关键词：金属硅化物肖特基二极管
- 功率晶体管背面金属化研究被引量：4
- 1993年
- 本文对比研究了磁控溅射、化学镀镍和蒸发等不同方法制备的背面金属化层对功率晶体管性能的影响。结果表明,采用磁控溅射方法制备的银系多层金属电极能显著降低功率晶体管的热阻,减小饱和压降和改善大电流特性。特别是,间隙工作寿命试验超过38000次以上,达到高可靠质量要求。文中还研究了金属化层制备中芯片背面状况对晶体管性能的影响。
- 张利春高玉芝宁宝俊王阳元赵忠礼
- 关键词：功率晶体管背面金属化
- 金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究被引量：4
- 2003年
- 用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保护层结构的作用更明显;没有保护层的管子和有保护层的管子具有不同的边缘特性。实验数据能够很好地用非均匀肖特基势垒输运模型拟合。提取出的参数表明,保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势垒的均匀性,从而减小了肖特基二极管的反向电流;边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而导致的。金属保护层能提高肖特基势垒的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染。
- 陈金凌高玉芝张利春
- 关键词：肖特基接触NISI肖特基势垒非均匀性钴
- 超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路被引量：4
- 2001年
- 报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2
- 张利春高玉芝金海岩倪学文莫邦燹宁宝俊罗葵叶红飞赵宝瑛张广勤
- 关键词：双层多晶硅发射极晶体管集成电路
- 深槽Ni(Pt)Si/Si肖特基二极管特性研究被引量：3
- 2005年
- 采用15nmNi/1.5nmPt/15nmNi/Si结构在600～850°C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致。比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150°C。在850°CRTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,其势垒高度ΦB为0.71eV,改善了肖特基二极管的稳定性。实验表明在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压。在外延层浓度为5E15cm-3时,深槽器件的击穿电压可以达到80V,比保护环器件高约30V。
- 张慧张利春高玉芝金海岩
- 关键词：肖特基二极管深槽
- 掺砷多晶硅发射极RCA晶体管被引量：3
- 2000年
- 研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层 ,并采用氮气快速热退火的方法处理 RCA氧化层 ,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管 .晶体管的电流增益在 - 55— + 1 2 5℃温度范围内的变化率小于 1 5% ,而且速度快 ,发射区尺寸为 4× 1 0μm2 的 RCA晶体管其特征频率可达 3.3GHz.
- 张利春叶红飞金雪林高玉芝宁宝俊
- 关键词：多晶硅发射极掺砷
- 衬底负偏压溅射对ZrN薄膜性能的改善
- 周建平高玉芝宁宝俊
- 关键词：溅射氧
