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代红丽

作品数：11 被引量：3H指数：1
供职机构：天津理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇导通
  • 3篇导通电阻
  • 3篇电阻
  • 3篇溶胶
  • 3篇晶体
  • 3篇晶体结构
  • 3篇比导通电阻
  • 3篇槽栅
  • 3篇场板
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇通信
  • 2篇通信系统
  • 2篇涡旋
  • 2篇绝缘体上硅
  • 2篇击穿电压
  • 2篇光通信
  • 2篇复用
  • 2篇传输介质
  • 2篇传输路径

机构

  • 8篇天津理工大学
  • 3篇西北大学
  • 3篇河北工业大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 11篇代红丽
  • 3篇石艳梅
  • 3篇赵红东
  • 3篇王洛欣
  • 2篇代秀红
  • 2篇孙梅
  • 2篇张广林
  • 2篇刘继芝
  • 2篇褚立志
  • 2篇秦云
  • 1篇李明吉
  • 1篇姚素英
  • 1篇丁燕红
  • 1篇张卫华

传媒

  • 3篇天津理工大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国教育技术...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
ZnO薄膜的正交实验设计及其分析被引量：1
2013年
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,考虑影响晶体质量的4个因素,应用正交实验法进行了工艺优化;利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当陈化温度50℃、预处理温度200℃、退火温度650℃和Zn2+浓度0.35 mol/L时,ZnO薄膜的C轴择优取向度最高.
王洛欣代红丽
关键词：ZNO薄膜正交法晶体结构
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜的工艺优化及其发光性能研究
ZnO是一种新型的Ⅱ～Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,与GaN具有相近的晶格常数和禁带宽度,作为一种短波长光电子器件的优良材料,ZnQ在光电子领域将有着大规模的应用,它优越的光电特性已经引起了研究人员的普遍关注。 ...
代红丽
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶C轴取向光致发光
文献传递
U型高K介质膜槽栅垂直场板LDMOS
2024年
近年来,随着汽车电子和电源驱动的发展,集成度较高的LDMOS作为热门功率器件受到了关注,如何提高其击穿电压与降低其比导通电阻成为提高器件性能的关键。基于SOI LDMOS技术,文章提出了在被4μm的高K介质膜包围的SiO_(2)沟槽中引入垂直场板的新型结构。与传统沟槽LDMOS相比,垂直场板和高K介质膜充分地将电势线引导至沟槽中,提高了击穿电压。此外垂直场板与高K介质和漂移区形成的MIS金属-绝缘层-半导体电容结构能增加漂移区表面的电荷量,降低比导通电阻。通过二维仿真软件,在7.5μm深的沟槽中引入宽0.3μm、深6.8μm的垂直场板,实现了具有300 V的击穿电压和4.26 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,以及21.14 MW·cm^(-2)的Baliga品质因数的LDMOS器件。
钱图代红丽周春行陈威宇
关键词：LDMOS击穿电压比导通电阻
具有纵向源极场板的绝缘体上硅器件新结构
2017年
采用软件仿真一系列横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Laterally double-diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)结构,为缓解绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)器件的击穿电压VB和漂移区的比导通电阻Ron.sp之间的矛盾关系,提出了一种具有纵向源极场板的双槽SOI新结构。该结构首先采用槽栅结构,以降低比导通电阻Ron.sp;其次,在漂移区内引入SiO_2介质槽,以提高击穿电压VB;最后,在SiO_2介质槽中引入纵向源极场板,进行了电场重塑。通过仿真实验,获得器件表面电场、纵向电场曲线及器件击穿时的电势线和导通时的电流线等。结果表明,新结构的VB较传统LDMOS器件提高了121%,Ron.sp降低了9%,器件优值FOM值达到15.2 MW·cm^(-2)。
代红丽赵红东王洛欣石艳梅李明吉
关键词：绝缘体上硅击穿电压比导通电阻
Al掺杂对ZnO薄膜晶体结构的影响
2008年
采用溶胶-凝胶工艺在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,利用X射线衍射仪对薄膜的晶体结构进行了分析讨论.结果表明,当掺杂量Al3+浓度增大时,晶体产生的张应力使晶格常数变大,衍射峰向小角度方向移动;相反,当Al3+浓度减小时,压应力使衍射峰向大角度方向移动.
代红丽秦云
关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法晶体结构
一种涡旋光束强度复用通信系统
本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数<Image file="540188DEST_PATH_IMAGE001.GIF" he="5" imgContent="und...
赵红东孙梅代秀红褚立志张广林代红丽
一种槽栅槽源SOI LDMOS器件
一种槽栅槽源SOILDMOS器件，包括衬底层、埋氧层、有源半导体层、n<Sup>+</Sup>漏区、槽栅、栅氧层、介质埋层、槽源、源电极、栅电极、p阱和漏电极并组成SOILDMOS器件，p阱内设有n<Sup>+</Sup...
石艳梅刘继芝代红丽
文献传递
具有L型源极场板的双槽绝缘体上硅高压器件新结构被引量：2
2014年
为了提高小尺寸绝缘体上硅(SOI)器件的击穿电压,同时降低器件比导通电阻,提出了一种具有L型源极场板的双槽SOI高压器件新结构.该结构具有如下特征:首先,采用了槽栅结构,使电流纵向传导面积加宽,降低了器件的比导通电阻;其次,在漂移区引入了Si O2槽型介质层,该介质层的高电场使器件的击穿电压显著提高;第三,在槽型介质层中引入了L型源极场板,该场板调制了漂移区电场,使优化漂移区掺杂浓度大幅增加,降低了器件的比导通电阻.二维数值仿真结果表明:与传统SOI结构相比,在相同器件尺寸时,新结构的击穿电压提高了151%,比导通电阻降低了20%;在相同击穿电压时,比导通电阻降低了80%.与相同器件尺寸的双槽SOI结构相比,新结构保持了双槽SOI结构的高击穿电压特性,同时,比导通电阻降低了26%.
石艳梅刘继芝姚素英丁燕红张卫华代红丽
关键词：绝缘体上硅槽栅比导通电阻
电子线路实践类课程思政教学实践与探索
2022年
课程思政是落实立德树人教育理念的重要环节。根据电子线路实践类课程教学特点,教师在指导学生实践过程中,践行全员育人、全过程育人、全方位育人的“三全育人”理念,将责任意识、安全意识、工匠精神等思政元素融入其中,使学生在潜移默化中形成严谨细致的工作作风和追求卓越的工作态度。
郭映代红丽
关键词：思想政治教育
一种涡旋光束强度复用通信系统
本发明一种涡旋光束强度复用通信系统，涉及用光通信作为传输路径的电通信系统，是两个拓扑电荷数<Image file="540188DEST_PATH_IMAGE001.GIF" he="8" imgContent="und...
赵红东孙梅代秀红褚立志张广林代红丽
文献传递
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