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王剑锋

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中航工业北京航空制造工程研究所更多>>
相关领域：文化科学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇离子注入
  • 2篇等离子体
  • 2篇等离子体发生...
  • 2篇等离子体技术
  • 2篇电极
  • 2篇曲面零件
  • 2篇阻挡放电
  • 2篇介质
  • 2篇介质阻挡
  • 2篇介质阻挡放电
  • 2篇介质阻挡放电...
  • 2篇金属
  • 2篇金属电极
  • 2篇金属零件
  • 2篇放电等离子体
  • 2篇附着力
  • 2篇高附着力
  • 2篇TA
  • 2篇TAN

机构

  • 4篇中航工业北京...

作者

  • 4篇武洪臣
  • 4篇马国佳
  • 4篇王剑锋
  • 4篇马贺
  • 4篇孙刚
  • 2篇刘星

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法
本发明属于等离子体技术领域，涉及对介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法的改进。其特征在于，利用离子注入及沉积设备在绝缘介质材料上沉积金属电极，制造的步骤如下：清洗绝缘介质材料；粘贴掩膜胶带；安装离子注入及沉积设备的溅...
马国佳马贺孙刚王剑锋武洪臣
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介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法
本发明属于等离子体技术领域，涉及对介质阻挡放电等离子体发生器的电极制造方法的改进。其特征在于，利用离子注入及沉积设备在绝缘介质材料上沉积金属电极，制造的步骤如下：清洗绝缘介质材料；粘贴掩膜胶带；安装离子注入及沉积设备的溅...
马国佳马贺孙刚王剑锋武洪臣
在金属零件表面制备高附着力Ta/TaN叠层薄膜的方法
本发明属于金属零件表面处理技术，涉及对金属零件表面Ta/TaN叠层薄膜制备方法的改进。其特征在于，利用交替离子注入及沉积方法制备Ta/TaN叠层薄膜，制备的步骤如下：对零件表面进行清洗；制备过渡层；沉积TaN；在TaN层...
马国佳孙刚马贺刘星王剑锋武洪臣
金属零件表面制备高附着力Ta和TaN叠层薄膜的方法
本发明属于金属零件表面处理技术，涉及对金属零件表面Ta/TaN叠层薄膜制备方法的改进。其特征在于，利用交替离子注入及沉积方法制备Ta/TaN叠层薄膜，制备的步骤如下：对零件表面进行清洗；制备过渡层；沉积TaN；在TaN层...
马国佳孙刚马贺刘星王剑锋武洪臣
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