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王泉慧

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

主题

  • 6篇刻蚀
  • 3篇干法刻蚀
  • 2篇对准标记
  • 2篇亚微米
  • 2篇栅介质
  • 2篇实时监控
  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅材料
  • 2篇微米
  • 2篇线宽
  • 2篇接触区
  • 2篇刻线
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻工艺
  • 2篇光刻系统
  • 2篇光敏
  • 2篇硅材料
  • 2篇反应气体
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇王泉慧
  • 4篇柏松
  • 4篇陈刚
  • 2篇李理
  • 2篇任春江
  • 2篇陈堂胜
  • 2篇刘海琪
  • 2篇汪玲

年份

  • 3篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法
本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法...
陈刚李理王泉慧柏松
文献传递
一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法
本发明公开了一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法，它是在碳化硅材料上同时设置多个台阶高度监控图形，与待刻蚀图形一起同时刻蚀，并在需要检测刻蚀高度时将其中一个台阶高度监控图形周围的光敏掩膜层去除，从而进行台阶高度的...
陈刚汪玲王泉慧柏松
文献传递
一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法
本发明公开了一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法，它是在碳化硅材料上同时设置多个台阶高度监控图形，与待刻蚀图形一起同时刻蚀，并在需要检测刻蚀高度时将其中一个台阶高度监控图形周围的光敏掩膜层去除，从而进行台阶高度的...
陈刚汪玲王泉慧柏松
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一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法
本发明是一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法，包括：1）介质层上涂覆光刻胶层，介质层的厚度在150nm-250nm；2）通过曝光显影在光刻胶层上形成A栅脚图形，A栅脚图形的线宽在50nm-250nm；3）采...
刘海琪王泉慧任春江陈堂胜
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一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法
本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法...
陈刚李理王泉慧柏松
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一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法
本发明是一种适合于亚微米栅长半导体器件制造的栅介质刻蚀方法，包括：1）介质层上涂覆光刻胶层，介质层的厚度在150nm-250nm；2）通过曝光显影在光刻胶层上形成A栅脚图形，A栅脚图形的线宽在50nm-250nm；3）采...
刘海琪王泉慧任春江陈堂胜
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