高文钰
- 作品数：31 被引量：52H指数：5
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程核科学技术更多>>
- 退火工艺对注F MOSFET辐照特性的影响被引量：4
- 1993年
- 比较了注F后900℃ N_2退火30分钟和950℃ N_2退火10分钟两种退火方式制作的P沟MOSFET和N沟MOSFET的电离辐照行为。结果发现,注F后900℃ N_2退火30分钟具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力。用退火工艺影响栅介质中缺陷的消除模型对实验结果进行了讨论。
- 张国强余学锋高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：电离辐射退火MOSFET
- 3.4nm超薄SiO_2栅介质的特性被引量：2
- 2002年
- 用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为 3 4nm的MOS电容样品 ,通过对样品进行I V特性和恒流应力下V t特性的测试 ,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能 ,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响 .实验结果表明 ,制备出的 3 4nmSiO2 栅介质的平均击穿场强为 16 7MV/cm ,在恒流应力下发生软击穿 ,平均击穿电荷为 2 7C/cm2 .栅介质厚度相同的情况下 ,P+ 栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N+
- 许晓燕谭静荣高文钰黄如田大宇张兴
- 关键词：超薄栅介质软击穿硼扩散
- 注F MOS电容的电离辐射效应被引量：6
- 1993年
- 对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10^(14)—2×10^(16)F/cm^2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。
- 张国强余学峰高文钰任迪远严荣良赵元富胡浴红王英明
- 关键词：MOS电容界面态电离辐射氟
- 线性集成电路的辐照响应和电离辐射损伤评估被引量：8
- 1993年
- 利用用于电离辐射效应研究的运算放大器计算机测试系统以及测试分析和数据处理软件对十几种运算放大器进行了^(60)Coγ射线、1.5MeV电子的电离辐射损伤试验及其室温和加温退火特性研究。同时,探讨了运算放大器电离辐射损伤水平的评估方法和损伤机制。
- 任迪远陆妩余学峰范隆高文钰严荣良
- 关键词：运算放大器电离辐射
- 栅氧化方式对注F MOSFET电离辐射效应的影响
- 1994年
- 对氢氧合成和干氧栅氧化后注Ｆ的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了γ射线辐照试验，比较了两种栅介质注Ｆ的电离辐射响应特性。研究表明，氢氧合成栅氧化后注Ｆ的ＭＯＳＦＥＴ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态生长的能力。用一个新的模型对实验结果进行了讨论，该新模型中用Ｓｉ—Ｆ结键替代其它在辐射场中易成为电荷陷阱的应力键，并考虑到不同氧化方式导致栅介质本身具有的电子陷阱数、空穴迁移率和氧化时所引入缺陷量的差异。
- 张国强严荣良余学锋高文钰任迪远赵元富胡浴红王英民
- 关键词：MOS系统场效应晶体管电离辐射
- 薄栅介质的制备与特性研究
- 该文进行了薄栅介质制备工艺和特性的研究.首先,研究了硅表面清洗方法对薄栅介质(13nm,7nm)击穿性能的影响,提出了二步SPM清洗法;其次,研究了N<,2>O退火氮化对薄栅介质(7nm)可靠性的改善;第三,研究了硼扩散...
- 高文钰
- 关键词：薄栅介质硼扩散
- 高压偏移栅PMOSFET击穿电压的电离辐照响应被引量：2
- 1993年
- 揭示了辐照引起击穿电压变化的机制,提出了提高高压偏移栅PMOSFET击穿电压抗电离辐照的方法。对辐照后击穿电压退火特性进行了研究。
- 高文钰任迪远陆妩严荣良赵元富李荫波
- 关键词：击穿电压辐照电离辐射MOS电路
- 硅表面清洗对7nm热SiO_2栅介质可靠性的影响被引量：2
- 1999年
- 实验研究了硅表面清洗方式对７ｎｍ 热氧化ＳｉＯ２ 栅介质可靠性的影响．结果表明，稀ＨＦ酸漂洗后ＲＣＡ 清洗时降低ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）温度对提高栅介质可靠性有利，但仍不如用ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）或Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２ 清洗效果好．稀ＨＦ酸漂洗后用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２ 清洗得到的栅介质不仅表现出优良的击穿电场分布特性和击穿电荷分布特性。
- 高文钰刘忠立和致经张永刚梁秀琴梁桂荣
- 关键词：二氧化硅可靠性热氧化栅介质
- ^(60)Co辐照引起MOS电容可动离子的变化
- 1991年
- 本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随^(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后可动离子减少,对干氧通TCE和纯干氧栅氧化电容实验都有类似的结果;在相同剂量辐照下,正偏辐照引起的可动离子碱少最大,负偏次之,零偏最小;在剂量为1×10~3—5×10~3Gy(Si)范围内,零偏辐照的可动离子减少量随剂量增大而增加,但正偏辐照似乎在1×10~5Gy(Si)时,减小量就趋于“饱和”。此外,随着TVS测量次数增加,可动离子有少量增加。最后,对实验现象的机制进行了探讨。
- 高文钰严荣良范隆
- 关键词：^60CO辐照MOS电容
- 硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化被引量：3
- 1999年
- 采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内，引起阈值电压不稳...
- 高文钰刘忠立梁秀琴于芳聂纪平李国花
- 关键词：PMOSFET二氧化硅栅介质硼扩散
