曹得财
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：西北工业大学理学院应用物理系更多>>
- 发文基金：西北工业大学研究生创业种子基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究被引量：4
- 2008年
- 运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明:掺B及吸附H2O的碳纳米管(BCNT+H2O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(Ef)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H2O比CNT+H2O有更好的场发射性能.
- 陈国栋王六定张教强曹得财安博丁富才梁锦奎
- 关键词：密度泛函理论
- 氮掺杂及水分子吸附碳纳米管电子场发射第一性原理研究被引量：1
- 2009年
- 对闭口碳纳米管(CNT)顶端分层掺氮及吸附不同数目水分子体系,运用第一性原理研究了有电场存在时的电子场发射性能.结果表明:掺氮并吸附水分子的CNT结构稳定;外电场愈强、水分子数愈多,体系态密度(DOS)向低能端移动幅度愈大且最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子空轨道(LUMO)能隙愈小.吸附能,DOS/LDOS,HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明,第三层氮掺杂CNT吸附不同数目水分子体系的场发射性能最佳.
- 陈国栋王六定安博杨敏曹得财刘光清
- 关键词：氮掺杂密度泛函理论
- B/N/Si掺杂的(9,0)型碳纳米管电子结构第一性原理研究被引量：5
- 2009年
- 基于密度泛函理论(DFT)的DMol3软件包,研究了(9,0)型碳纳米管(CNT)顶端掺杂B/N/Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明,掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱;加电场后,各种掺杂CNT顶端局域态密度(LDOS)峰位向价带移动;B/N/Si掺杂不仅引起CNT费米能级(Ef)处LDOS增大,而且最低空轨道与最高占有轨道的差值(LUMO-HOMO)降低。由此可预期CNT顶端掺B/N/Si均有利于场致电子发射,且改善幅度依次增强。
- 安博王六定陈国栋曹得财丁富才梁锦奎
- 关键词：碳纳米管掺杂第一性原理
- 双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究被引量：2
- 2009年
- 采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能。结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动,电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局域化。根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射。
- 曹得财王六定陈国栋安博梁锦奎丁富才
- 关键词：碳纳米管双掺杂场发射
