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丁富才

作品数:6 被引量:34H指数:4
供职机构:神华宁夏煤业集团有限责任公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金西北工业大学研究生创业种子基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学冶金工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 2篇第一性原理
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇稳定性
  • 2篇密度泛函
  • 2篇泛函
  • 2篇奥氏体
  • 2篇掺杂
  • 1篇低合金
  • 1篇低合金超高强...
  • 1篇电机
  • 1篇电子结构
  • 1篇断裂韧度
  • 1篇亚结构
  • 1篇韧度
  • 1篇双掺杂
  • 1篇逆转变奥氏体
  • 1篇汽轮

机构

  • 5篇西北工业大学
  • 1篇中航工业北京...
  • 1篇神华宁夏煤业...

作者

  • 6篇丁富才
  • 5篇梁锦奎
  • 5篇王六定
  • 3篇陈国栋
  • 3篇安博
  • 3篇曹得财
  • 2篇王佰民
  • 1篇李志
  • 1篇张教强
  • 1篇朱明
  • 1篇钟英良

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇化工管理
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
提高汽轮发电机高调门稳定性
2017年
本文阐述了汽轮发电机高调门的作用,强调了汽轮发电机高调门故障的危害,指出了提高其稳定性水平的重要性,在分析机组高调门常见问题的基础上,针对不同的问题,提出了不同的解决策略,希望能够达到提高机组高调门运行稳定性的目的。
丁富才
关键词:汽轮发电机稳定性
掺硼水吸附碳纳米管电子场发射性能的第一性原理研究被引量:4
2008年
运用第一性原理研究了掺硼碳纳米管(BCNT)顶端吸附水分子后的电子场发射性能.结果表明:掺B及吸附H2O的碳纳米管(BCNT+H2O)端部形成电子聚集的原子尺度微区,其电子态密度(DOS)在费米能级(Ef)附近有很大提高.根据计算的电子DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分布等可知BCNT+H2O比CNT+H2O有更好的场发射性能.
陈国栋王六定张教强曹得财安博丁富才梁锦奎
关键词:密度泛函理论
低合金超高强度钢亚结构超细化对韧性的影响被引量:17
2009年
充分利用控制相变温度、冷却与回火参数.得到冲击吸收功(A_(KV))成倍提高的系列Si,Mn等元素合金化的低合金超高强度结构钢(LUHSSS).TEM,SEM和AFM分析表明:LUHSSS由纳米尺度的铁素体(F)板条与分布在其间的、高度稳定的膜状残余奥氏体(AR)组成,无块状不稳定A_R和渗碳体析出;由若干切变单元组成的F板条不连续分布,厚度范围75—100nm.回火过程中,板条内位错运动形成纳米尺寸(<17nm)的均匀胞状亚结构.显微组织的多尺度、多层次与双相性保证超高强度(σ_b>1400 MPa)前提下,A_(KV)大幅度提高至200J附近.分析了胞状亚结构对LUHSSS韧性的影响机制.
王六定丁富才王佰民朱明钟英良梁锦奎
关键词:超高强度钢残余奥氏体冲击吸收功
AerMet100钢有效晶粒细化与逆转变奥氏体稳定性的提高被引量:6
2010年
对二次硬化超高强度AerMet 100钢,通过引入预时效并优化双时效(即预时效+正常时效)工艺,膜状逆转变奥氏体(AR)中合金元素Ni、Co含量的起伏有利于提高其稳定性并降低Ms温度。高分辨透射电子显微镜(HRTEM)与扫描电子显微镜(SEM)分析表明:膜状AR在原奥氏体晶粒及马氏体铁素体(MF)板条边界形成,其间同时存在的K-S和N-W位向关系使有效晶粒由原奥氏体晶粒减小为MF板条(其厚度约80 nm);试样断面大而深的韧窝及高的撕裂棱反映出裂纹尖端钝化和分岔会吸收大量能量,在抗拉强度(σb)>2000 MPa条件下断裂韧度(KIC=127 MPa.m1/2)提高20%。
梁锦奎王六定李志王佰民丁富才
关键词:逆转变奥氏体断裂韧度稳定性
B/N/Si掺杂的(9,0)型碳纳米管电子结构第一性原理研究被引量:5
2009年
基于密度泛函理论(DFT)的DMol3软件包,研究了(9,0)型碳纳米管(CNT)顶端掺杂B/N/Si等元素对其几何结构及电子结构的影响。结果表明,掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱;加电场后,各种掺杂CNT顶端局域态密度(LDOS)峰位向价带移动;B/N/Si掺杂不仅引起CNT费米能级(Ef)处LDOS增大,而且最低空轨道与最高占有轨道的差值(LUMO-HOMO)降低。由此可预期CNT顶端掺B/N/Si均有利于场致电子发射,且改善幅度依次增强。
安博王六定陈国栋曹得财丁富才梁锦奎
关键词:碳纳米管掺杂第一性原理
双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究被引量:2
2009年
采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能。结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动,电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局域化。根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射。
曹得财王六定陈国栋安博梁锦奎丁富才
关键词:碳纳米管双掺杂场发射
共1页<1>
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