郭强
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
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- Ar等离子体清洗Cu箔靶的实验研究
- 2008年
- 极薄的铜箔是惯性约束聚变中常用的靶材之一，要求密度达到晶体理论密度、表面洁净、粗糙度低、润湿性好，用常规方法清洗厚度在2μm及以下的铜箔，难以达到要求、本实验采用Ar等离子体清洗2μm厚的铜箔，比较研究了Ar等离子清洗和常规清洗的不同，且对不同条件下清洗铜箔的表面性质进行研究．实验结果表明，常规有机溶剂清洗的铜箔，表面有微量的油污残留，暴露在空气中易氧化，经Ar等离子体清洗的铜箔，表面洁净、暴露在空气中不易氧化，Ar等离子体清洗10～20min，表面性质最佳，清洗彻底，润湿角明显减小（减小近20°），表面自由能增大（增大18.5％）、表面光洁度满足制靶要求.
- 陆晓曼吴卫东孙卫国张继成郭强唐永建
- 关键词：表面处理接触角
- BeS弹性常数和ZB结构相变的第一原理计算被引量：2
- 2008年
- 在密度泛函理论的局域密度近似下,利用CASTEP程序研究了BeS从闪锌矿结构到NiAs结构的相变.通过焓相等得到相变压强为53.3 GPa,与通过高压下弹性常数值判断的结果相符.
- 涂东荣朱俊肖星宏郭强
- 关键词：局域密度近似相变BES
- 类金刚石薄膜的反应离子刻蚀被引量：1
- 2008年
- 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小、独立的类金刚石薄膜微器件,反应离子刻蚀是一种有效地刻蚀方法。研究了氧气与氩气的混合气体进行类金刚石薄膜刻蚀的主要工艺参数(刻蚀时间、有无掩膜、氩氧体积混合比、负偏压)。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;有无掩膜对刻蚀速率无明显影响;流量一定时,刻蚀速率随氩氧体积比的增大而降低,随负偏压的增大先增大后减小。实验得到最佳刻蚀条件,在此条件下,刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的微器件,并成功制备出"独立"的微齿轮,进行了组装。
- 吴卫东陆晓曼张继成朱永红郭强唐永建孙卫国
- 关键词：反应离子刻蚀类金刚石薄膜微齿轮
- N_2-N_2二聚物分子间相互作用势的从头算被引量：1
- 2007年
- 采用改进的MP2方法和传统的MP2、MP3、MP4方法,结合6-31+G(2df)、6-311+G(2df)、AUG-cc-pVTZ在内的多种基组对N2-N2分子间相互作用势进行了比较研究.结果表明:用MP4方法计算得到的相互作用势介于MP2与MP3的结果之间,与传统意义上的MP2计算结果介于MP3与MP4的结果之间不同.分子间的相对方位对分子键长影响很大.分子间相隔很近时,这种影响越为明显.改进的MP2方法,在平衡位置对传统方式得到的势能曲线有明显的改善.同时发现BSSE误差不容忽视.
- 郭强朱俊涂东荣邓晓琳瞿建英
- 关键词：相互作用势
- 电子回旋共振微波等离子体刻蚀α：CH薄膜的工艺被引量：3
- 2008年
- 为了刻蚀出图形完整、侧壁陡直、失真度小的α:CH薄膜微器件,研究了有铝和无铝掩膜、气体流量比、工作气压对刻蚀速率的影响,并对纯氧等离子体刻蚀稳定性进行了研究。研究结果表明:在相同条件下,刻蚀速率随刻蚀时间变化不大;α:CH薄膜上有铝和无铝掩膜时,刻蚀速率相同;流量一定时,刻蚀速率随氩气和氧气体积比的增大而降低,当用纯氩气时,几乎没刻蚀作用;刻蚀速率随工作气压的增大而降低。实验中,得到最佳刻蚀条件是:纯氧气,流量4 mL.s-1,工作气压9.9×10-2Pa,微波源电流80 mA,偏压-90 V。
- 陆晓曼张继成吴卫东朱永红郭强唐永建孙卫国
- 关键词：离子刻蚀微齿轮
