唐玉国
- 作品数：449 被引量：742H指数：15
- 供职机构：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家重大技术装备创新研制项目更多>>
- 相关领域：机械工程理学自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种在体内手术环境中检测结石成分的装置及方法
- 本发明公开了一种在体内手术环境中检测结石成分的装置，属于医疗器械领域，光源与滤光结构连接，光源的光经滤光结构过滤后形成激发光，激发光传递至检测光纤，检测光纤将激发光传递至体内结石并通过激发产生荧光，传输光纤一端与滤光结构...
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- 磁轴柱塞式电机以及加样枪
- 本发明公开了一种磁轴柱塞式电机以及加样枪，属于电机领域，磁轴柱塞式电机包括磁缸以及磁轴，磁缸呈长条形并为中空结构，磁轴安装于磁缸内，磁轴的长度小于磁缸的长度使磁轴末端与磁缸内壁之间形成腔室，通过改变磁缸的磁力大小与磁性方...
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- 一种基于均匀结构光照明的共聚焦并行显微成像系统
- 本发明提供的基于均匀结构光照明的共聚焦并行显微成像系统，利用平顶高斯光束整形器对激光束进行整形生成平顶高斯光束，利用液晶空间光调制器将一束平顶高斯光束分成两束相干光，通过两束平顶高斯光束干涉得到均匀分布的结构光，采用均匀...
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- 闪耀全息光栅离子束刻蚀工艺模拟及实验验证被引量：10
- 2012年
- 依据特征曲线法推导了非晶体表面的离子束刻蚀模拟方程,结合全息光栅的刻蚀特点开发出离子束刻蚀模拟程序,并通过实验数据分析并优化了非晶体材料刻蚀速率与离子束入射角的关系方程,最后利用离子束刻蚀实验对所开发的离子束刻蚀模拟程序进行了实验验证。调节掩模与基底材料的刻蚀速率比为2∶1至1∶2,制作了线密度为1 200l/mm,闪耀角为～8.6°,非闪耀角为34°～98°的4种闪耀光栅,与刻蚀模拟程序的结果进行对比,模拟误差<5%;控制离子束刻蚀时间为6～14min,制作了线密度为1 200l/mm,闪耀角为～8.6°,顶角平台横向尺寸为0～211nm的6种光栅,与刻蚀模拟程序的模拟结果进行对比,模拟误差<1%。比较实验及离子束刻蚀模拟结果表明,离子束刻蚀模拟程序获得的模拟刻蚀轮廓曲线与实际刻蚀轮廓曲线的误差<5%;模拟刻蚀截止点与实际刻蚀截止点误差<1%。实验表明,提出的模拟方程可以准确地描述不同工艺过程和工艺参数对最终刻蚀结果的影响,进而可预知和控制离子束刻蚀过程。
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- 关键词：闪耀光栅全息光栅衍射效率离子束刻蚀
- 一种平面双闪耀光栅的制备方法
- 本发明实施例提供了一种制作平面双闪耀光栅的方法，制作具有第一闪耀角的第一平面闪耀光栅以及具有第二闪耀角的第二平面闪耀光栅，其中第一闪耀角和第二闪耀角不同，将所述第一平面闪耀光栅和所述第二平面闪耀光栅放置于拼接机构，调整所...
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- 文献传递
- 一种质谱离子激发方法以及装置
- 本发明公开了一种质谱离子激发方法以及装置，属于质谱领域，激光照射至反射镜的反射面上被反射后聚焦于推斥电极的样品上，反射面为抛物面或椭球面，反射后的激光的方向与推斥电极形成的样品安置面垂直使激光垂直入射至样品和基质，样品受...
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- 多个光栅刻刀并行干涉控制式光栅刻划方法
- 多个光栅刻刀并行干涉控制式光栅刻划方法属于平面衍射光栅制作领域，目的在于解决现有技术存在的难以实现米级以上大尺寸光栅的精密刻划和光栅刻划效率低的问题。本发明以下步骤：步骤一：将n套刻划系统以相等的间距D并行安装于主机座上...
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- 文献传递
- 一种双通道动物神经元信号记录与同步刺激系统
- 本实用新型属于生物学、神经科学、医学等领域，尤其涉及光遗传学技术应用领域，特别涉及一种双通道动物神经元信号记录与同步刺激系统，本实用新型在记录自由活动动物神经元活动的过程中，可以同时实现光遗传学兴奋和抑制实验，本实用新型...
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- 文献传递
- 平面全息光栅制作中光栅基底的零级光定位方法
- 平面全息光栅制作中光栅基底的零级光定位方法，属于光谱技术领域中涉及的一种光栅基底的定位方法。要解决的技术问题是提供一种平面全息光栅制作中光栅基底的零级光定位方法。技术方案为：步骤一，配备一套平面全息光栅曝光装置，该装置与...
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- 分布式存储系统
- 本发明公开了一种分布式存储系统，包括：多个存储层用于对不同安全级别的数据进行分级存储；主控制器用于接收客户端向其发送的数据存储请求，并建立存储日志；以及存储监控器用于根据主控制器请求存储入的数据的安全级别查找具有等同安全...
- 黄瑞唐玉国袁艳明黄淼
- 文献传递
