您的位置: 专家智库 > >

李义平

作品数:16 被引量:98H指数:8
供职机构:山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划山东大学青年科学基金山东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 13篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 16篇晶体
  • 11篇KDP晶体
  • 6篇晶体生长
  • 4篇光学
  • 3篇散射颗粒
  • 3篇退火
  • 3篇热退火
  • 3篇过饱和度
  • 2篇液晶
  • 2篇溶液晶体生长
  • 2篇退火温度
  • 2篇阈值
  • 2篇消光比
  • 2篇光比
  • 2篇光谱
  • 2篇光学均匀性
  • 2篇包裹体
  • 2篇KDP
  • 2篇KDP晶体生...
  • 1篇电导仪

机构

  • 16篇山东大学
  • 1篇南开大学
  • 1篇山东轻工业学...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 16篇李义平
  • 14篇孙洵
  • 13篇王圣来
  • 11篇高樟寿
  • 9篇房昌水
  • 6篇曾红
  • 6篇王波
  • 5篇付有君
  • 5篇顾庆天
  • 4篇王坤鹏
  • 3篇李云南
  • 3篇许心光
  • 2篇张光辉
  • 2篇尹鑫
  • 2篇邵宗书
  • 2篇张吉果
  • 2篇王正平
  • 2篇张建秀
  • 1篇傅有君
  • 1篇牛爱芹

传媒

  • 7篇人工晶体学报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇光学学报
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇功能材料
  • 1篇压电与声光
  • 1篇第七届全国激...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1995
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究
适当温度的退火可以降低KDP晶体的内应力,使晶体的消光比提高,从而提高晶体的均匀性.实验证明,50℃退火即可消除部分内应力,110℃退火可以消除鬼影和鬼线.但是太高的退火温度(如170℃)也可能使晶体的均匀性降低.
王圣来王波张光辉尹鑫高樟寿房昌水孙洵李义平
关键词:热退火KDP晶体消光比光学均匀性
文献传递
生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响被引量:4
2002年
利用透射电子显微技术对不同条件下生长的 KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明 ,晶体中的生长缺陷、p H值、生长速度和杂质与
孙洵许心光王正平陈鸿剑李义平邵宗书高樟寿房昌水
关键词:KDP晶体散射颗粒PH值包裹物
KDP晶体激光损伤机理研究被引量:11
2004年
大口径KDP晶体是唯一可用作激光约束核聚变(ICF)中Pockels盒和倍频器件的晶体材料,但是低的抗激光损伤阈值使其应用受到了限制。本文从电子 空穴对的产生及稳定机制、光伤实体的本质等方面总结了多年来人们对KDP晶体激光损伤机理的研究进展,尤其从多光子电离、碰撞电离、激光加热三个方面定性阐述了电子 空穴对的产生机制,而电子 空位对的稳定机制是探讨光损伤的关键步骤。另外从晶体生长过程及后处理两个方面初步讨论了提高光伤阈值和光学均匀性的途径。
王坤鹏房昌水张建秀王圣来孙洵顾庆天李义平
关键词:KDP晶体ICF晶体材料
KDP晶体生长过程中溶液稳定性的研究被引量:11
2004年
在KDP晶体生长过程中,溶液的稳定性对KDP晶体的光学质量影响较大。溶液的稳定性是多种因素共同作用的结果。本文主要研究了过饱和KDP溶液中晶胚的分布情况、降温过程中晶体生长驱动力与降温速度之间的关系,并分析了KDP晶体实际生长过程中影响溶液稳定性的主要因素。我们认为,通过改善KDP晶体生长过程中溶液的稳定性,并与其它措施和技术相结合,是提高KDP晶体光学质量的有效途径。
李云南房昌水顾庆天孙洵王圣来李义平王坤鹏王波
关键词:KDP晶体稳定性晶胚
热退火对KDP晶体微结构的影响被引量:11
2003年
 用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化。实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放。对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著。
王圣来李丽霞胡小波高樟寿付有君孙洵李义平曾红
关键词:KDP晶体微结构热退火RAMAN光谱晶格畸变
退火温度对KDP晶体光学均匀性的影响研究被引量:8
2004年
 研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提高晶体的光学均匀性。实验证明,50℃下退火即可消除部分内应力,110℃下退火可以消除生长鬼影和鬼线。但是,退火温度太高(如170℃),也可能使晶体的均匀性降低。
王圣来王波张光辉牛爱芹尹鑫高樟寿房昌水孙洵李义平
关键词:热退火KDP晶体消光比
KDP/DKDP晶体生长的研究进展被引量:20
2007年
采用传统降温法,KDP晶体的生长速度一般在1~2mm/d,DKDP晶体的生长速度甚至更慢,并且晶体的恢复区域较大,利用率低;而采用快速生长法,晶体的生长速度可以提高到20~50mm/d,并且晶体的恢复区域小,利用率高。本文回顾了KDP/DKDP晶体生长的研究进展。并重点评述了KDP/DKDP晶体快速生长的研究进展,报道了近年来大尺寸、高质量KDP晶体的研究动态。
王波房昌水王圣来孙洵顾庆天许心光李义平刘冰牟晓明
关键词:惯性约束核聚变溶液晶体生长
KDP晶体过饱和度实时控制生长被引量:3
2000年
在KDP晶体传统的降温法生长过程中 ,由于缺少对溶液过饱和度和实时了解 ,只能根据经验调节溶液的降温速度来控制生长过程 ,这样容易在溶液中形成过饱和度的积累 ,造成晶体生长速度快慢不一 ,形成生长层 ,使晶体内部产生较大应力 ,严重时会引起包藏使晶体不能透明生长。这种生长方法对晶体的生长速度有很大的限制 ,只有在较低的速度时才能生长出高质量的晶体。因此有必要对KDP晶体的生长过程中的浓度和过饱和度实施实时测量和控制。实时测量生长溶液的浓度是实现过饱和度控制的关键。KDP溶液的浓度可以用称重法直接测量 ,也可以通过测量溶液的对浓度敏感的其它性质如密度 ,粘度 ,折射率 ,电导等间接测量 ,还可以用纹影法测量溶液的饱和点来确定溶液的浓度。在这些方法中 ,电导法有突出的优点 ,可实现很好的量化 ,能达到较高的精度 ,由于是电信号容易实现自动化测控 ,可以做到实时测量。但是 ,常规的Wheatstone电桥法由于电极与溶液直接接触引起电化学作用 ,影响了测试结果和溶液稳定性 ,甚至可能污染生长溶液。根据电磁感应的原理我们制作了变压器型电导仪。该电导仪与Wheatstone电桥法不同 ,在测量时电极无需直接接触溶液 ,也不需要把溶液从生长容器中抽出 。
王圣来付有君孙洵李义平曾红高樟寿
关键词:KDP晶体非线性光学晶体过饱和度溶液晶体生长
KDP晶体包裹体的拉曼光谱研究被引量:3
2003年
激光显微拉曼光谱对KDP晶体包裹体研究发现,相邻锥扇界附近的球形溶液包裹体串只有水溶液,而柱面扩展包藏和含高密度散射颗粒的KDP晶体都存在CO2和H2S等杂质分子.我们推断,柱、锥面包裹体成分的不同与晶体不同面的生长特征有关,CO2等杂质气体分子的存在是柱面包裹体和散射颗粒形成的原因之一.
王圣来高樟寿孔勇发张存洲付有君孙洵李义平曾红
关键词:散射颗粒拉曼光谱包裹体KDP晶体
DKDP晶体中包裹体被引量:3
2001年
利用显微技术观察了DKDP晶体中包裹体形态,并测量了其相应尺寸.结果表明, 在DKDP晶体中存在3种不同形态的包裹体,其形成机制各不相同.最后对包裹体进行了成分分析.
孙洵高樟寿许心光王正平张吉果李义平邵宗书房昌水
关键词:DKDP晶体显微技术包裹体磷酸二氘钾
共2页<12>
聚类工具0