杨瑞青
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 不同取向疲劳态铜单晶高速冲击下的绝热剪切带被引量：6
- 2006年
- 采用分离式Hopkinson压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶高应变率压缩下形成的绝热剪切带(ASB)．实验表明, ASB形成的临界应变与晶体取向有关,接近压缩临界双滑移取向晶体需要的临界应变最小,单滑移和压缩共轭双滑移取向的次之,共面双滑移取向的最大．本实验条件下形成的ASB内部典型的位错组态为位错胞结构,未观察到再结晶现象．根据空间位向, ASB可以分为3类:第1类非常接近铜晶体疲劳时形成的第2类形变带(DBII)平面,其临界应变最小;第2类ASB位向或者比较接近DBII平面或者比较接近第1类形变带(DBI)平面, 其临界应变居中;第3类ASB位向与DBI和DBII平面均不接近,其临界应变最大．
- 杨瑞青李守新李广义张哲峰
- 关键词：铜单晶HOPKINSON压杆绝热剪切带形变带
- 单晶、双晶与非晶合金的高应变率变形行为
- 本文采用分离式霍普金斯压杆装置(SHPB)和扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)、电子背散射衍射(EBSD)技术研究了不同取向疲劳态铜单晶、具有平行晶界的铜双晶和Zr基块体非晶在高应变速率(2×103～5×103/S)...
- 杨瑞青
- 关键词：铜单晶体铜双晶体非晶合金HOPKINSON压杆绝热剪切带
- 共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察被引量：3
- 2007年
- 利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
- 李小武周杨杨瑞青苏会和
- 关键词：铜单晶循环形变位错结构晶体取向
- 高应变率下Zr基非晶合金的单轴压缩断裂行为
- 采用分离式Hopkinson压杆装置(SHPB)和扫描电镜(SEM)技术研究了不同高应变率下Zr基非晶合金样品(ZrCuAlNi)的变形行为和断口形貌。研究发现与准静态压缩形变相比,高应变率水平(3400 s和1900 ...
- 杨瑞青范吉堂李守新张哲峰
- 关键词：HOPKINSON压杆应力-应变曲线剪切带
- 文献传递
