周杨
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：东北大学理学院材料物理与化学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金博士科研启动基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术更多>>
- 共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察被引量：3
- 2007年
- 利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯结构逐步变化到胞结构和迷宫结构.
- 李小武周杨杨瑞青苏会和
- 关键词：铜单晶循环形变位错结构晶体取向
- 利用SEM-ECC技术对不同取向铜单晶体疲劳位错结构的研究
- 不同取向铜单晶体的循环形变行为和循环形变过程中形成的疲劳位错结构多年以来就是众多研究者所关注的课题。目前,人们虽然对不同取向铜单晶体宏观循环形变行为的研究比较全面,但对双滑移和多滑移取向铜单晶体的微观位错结构的认识还远远...
- 周杨
- 关键词：铜单晶体位错结构驻留滑移带形变带
- 文献传递
- 一个特殊单滑移取向铜单晶疲劳位错结构研究被引量：1
- 2009年
- 为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察研究了Schmid因子为0.5的[41841]单滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.实验表明,在单滑移铜单晶体中,胞结构除了在高应变幅下的循环变形中出现外,还可能出现在循环应力-应变(CSS)曲线平台区的较低塑性应变幅下.驻留滑移带(PSBs)会随应变幅的增大而在试样表面聚集成内部含有位错胞的粗滑移带,带内的位错胞结构被认为是由于带内滑移阻力增大引起的应变集中所致形成的.此外,CSS曲线高应变幅区起始部分对应的循环饱和位错结构观察揭示出迷宫结构和胞结构是由PSBs逐渐演变而成的.
- 周杨李小武张广平张哲峰
- 关键词：铜单晶位错结构
- 不同取向疲劳铜单晶体中形变带的微观位错结构
- 扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术,系统地研究和总结了不同取向铜单晶体在循环变形中形变带的微观位错结构.结果表明,铜单晶体试样疲劳变形后在表面通常形成两类形变带,即:平行于主滑移方向发展的DBⅠ以及与主滑移方向成...
- 郭巍巍周杨李小武
- 关键词：DEFORMATIONDEFORMATIONDISLOCATIONORIENTATION
