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汤佳杰

作品数：26 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 14篇封装
  • 10篇圆片
  • 8篇芯片
  • 6篇电镀
  • 6篇多芯片
  • 6篇圆片级
  • 6篇键合
  • 5篇埋置型
  • 4篇频段
  • 4篇微波频段
  • 4篇微波性能
  • 4篇微电子
  • 4篇微电子工艺
  • 4篇无源
  • 4篇无源器件
  • 4篇系统级封装
  • 4篇TSV
  • 3篇退火
  • 3篇子层
  • 3篇互连

机构

  • 26篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 26篇汤佳杰
  • 25篇罗乐
  • 24篇徐高卫
  • 15篇陈骁
  • 4篇王天喜
  • 4篇袁媛
  • 2篇丁晓云
  • 2篇孙晓玮
  • 2篇宋恩亮
  • 2篇吴亮
  • 1篇叶交托
  • 1篇王华江
  • 1篇李珩
  • 1篇王双福
  • 1篇朱春生
  • 1篇韩梅
  • 1篇宁文果
  • 1篇吕文倩

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 6篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
使用光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法
本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au...
陈骁罗乐汤佳杰徐高卫
文献传递
一种基于BCB/Au制作集成射频贴片微带天线的方法
本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一...
王天喜罗乐徐高卫汤佳杰宋恩亮
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利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制...
汤佳杰罗乐徐高卫陈骁
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使用光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法
本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
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一种增强BCB和Au之间粘附性的方法
本发明涉及一种在圆片级射频封装中增强介质层BCB和金属层Au之间粘附性的方法。其特征在于，不需用添加其它粘附材料，只通过工艺参数的选择及优化，增强了BCB和金属层Au的粘附性。其主要步骤为：首先，对介质层BCB进行表面预...
王天喜罗乐徐高卫汤佳杰
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制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au...
陈骁罗乐汤佳杰徐高卫
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一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法
本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光...
汤佳杰罗乐徐高卫袁媛
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一种基于BCB/Au制作集成射频贴片微带天线的方法
本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一...
王天喜罗乐徐高卫汤佳杰宋恩亮
一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入...
陈骁罗乐汤佳杰徐高卫
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