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陈骁

作品数：35 被引量：5H指数：2
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学轻工技术与工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 22篇封装
  • 16篇圆片
  • 9篇圆片级
  • 9篇键合
  • 7篇TSV
  • 6篇多芯片
  • 6篇丝网印刷
  • 6篇芯片
  • 6篇晶圆
  • 6篇刻蚀
  • 5篇湿法腐蚀
  • 5篇光刻
  • 5篇硅圆片
  • 5篇MEMS
  • 4篇低温键合
  • 4篇电镀
  • 4篇印刷
  • 4篇印刷机
  • 4篇丝网印刷机
  • 4篇通孔

机构

  • 32篇中国科学院
  • 4篇南京理工大学

作者

  • 35篇陈骁
  • 32篇罗乐
  • 27篇徐高卫
  • 15篇汤佳杰
  • 4篇袁媛
  • 3篇叶交托
  • 3篇朱春生
  • 2篇丁晓云
  • 2篇宓斌玮
  • 2篇焦继伟
  • 2篇姚建勇
  • 1篇李珩
  • 1篇王双福
  • 1篇王天喜
  • 1篇韩梅
  • 1篇宁文果

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 3篇2011
  • 5篇2010
  • 1篇2009
共 35 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
玻璃浆料在MEMS圆片级气密封装中的应用研究
MEMS器件通常包含一些可动部分，这些可动部件很脆弱，容易受到划片和装配过程中的灰尘、水汽等因素的影响，造成器件毁坏或整体性能的下降，因此需要进行气密封装。与其他圆片级键合技术相比，玻璃浆料低温键合技术具有工艺简单、键合...
陈骁
关键词：气密封装键合强度丝网印刷传感性能
文献传递
一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法
本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入...
陈骁罗乐汤佳杰徐高卫
利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法
本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制...
汤佳杰罗乐徐高卫陈骁
文献传递
一种基于扩张干扰观测器的电液伺服系统自适应控制方法
本发明提出了一种基于扩张干扰观测器的电液伺服系统自适应控制方法，首先建立电液伺服系统的数学模型：据牛顿第二定律建立力平衡方程，根据液压系统动力学建立压强动态方程以及状态空间方程；然后设计影射函数和自适应律：设计一个自适应...
桂宏侃邓文翔陈骁姚建勇
硅转接板结构及其圆片级制作方法
本发明提供一种硅转接板结构及其圆片级制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一硅圆片，采用湿法腐蚀在所述硅圆片正面及背面形成上下分布的至少一对凹槽；一对凹槽共用凹槽底部；S2：采用湿法腐蚀在所述凹槽底部中形成至少一个...
叶交托陈骁朱春生徐高卫罗乐
文献传递
封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法
本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆...
陈骁罗乐徐高卫袁媛
采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺
本发明涉及一种采用BCB辅助键合以实现穿硅通孔封装的制作工艺，其特征在于本发明利用有机物BCB低温键合的支撑晶圆辅助下将晶圆减薄后制作TSV封装(Through Silicon Via，穿硅通孔)的方法，所述的TSV封装...
陈骁罗乐徐高卫袁媛
文献传递
基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法
本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制...
宁文果罗乐徐高卫李珩汤佳杰陈骁王天喜韩梅王双福朱春生叶交托
文献传递
制作TSV时采用的二次湿法腐蚀支撑晶圆分离的工艺
本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au...
陈骁罗乐汤佳杰徐高卫
文献传递
可实现玻璃浆料在MEMS圆片级气密封装的双腐蚀槽及方法
本发明涉及一种MEMS圆片级气密封装的双腐蚀槽结构及方法，其特征在于在硅盖板上，在玻璃浆料密封环落入的区域两侧有两条环状的腐蚀槽。所述的两条环状腐蚀槽内边缘的间距为玻璃浆料密封环宽度的1.0-1.2倍。所述腐蚀槽的深度为...
陈骁罗乐
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