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朱文玉

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇离子注入
  • 2篇应力
  • 2篇应力和
  • 2篇薄膜应力
  • 2篇硅
  • 2篇BF
  • 1篇探针
  • 1篇退火
  • 1篇退火效应
  • 1篇倾斜角
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇微机械
  • 1篇微机械系统
  • 1篇显微镜
  • 1篇力学特性
  • 1篇力学性质

机构

  • 5篇中国科学院上...
  • 2篇中山大学

作者

  • 6篇朱文玉
  • 3篇荣刚
  • 2篇林成鲁
  • 2篇陈树光
  • 2篇徐运海
  • 1篇关安民
  • 1篇陈良尧
  • 1篇江炳尧
  • 1篇周祖尧
  • 1篇钱佑华
  • 1篇陆德仁
  • 1篇何治平
  • 1篇苏毅

传媒

  • 2篇第四届全国固...
  • 1篇Journa...
  • 1篇核技术
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 5篇1994
  • 1篇1993
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析
1994年
通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．
何治平周祖尧关安民朱文玉江炳尧施左宇林成鲁钱佑华陈良尧苏毅
关键词：离子注入砷
BF_2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析
1993年
把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF_2^+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×10^(13)-5×10^(15)ion/cm^2),147keV BF_2^+分子离子77K注入硅以及相应的B^+、F^+注入硅样品的椭偏谱。由实验测得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现,低温BF^2^+注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成,与B^+、F^+注入损伤相比,BF_2^+注入存在显著的分子效应。
朱文玉李晓勤林成鲁陈树光徐运海
关键词：离子注入光谱
碲镉汞薄膜应力和晶片表面形变的计算机辅助测量装置
朱文玉荣刚
关键词：碲计算机辅助测试汞薄膜应力
微机械系统材料的应变测量装置
本实用新型微机械系统材料的应变测量装置，特别是用于几微米到几百微米尺寸材料的应变测量，属于用于计量固体形变的以机械方法为特征的计量设备，包括探针及长焦距显微镜。其特征在于有可在空间四个方位微调的探针台及测量微力大小及位移...
陆德仁朱文玉荣刚
文献传递
硅微电子机械系统中薄膜应力和力学特性的研究
荣刚朱文玉
关键词：硅薄膜应力力学性质
BF^＋2注入硅的损伤和退火
1994年
本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定退火后晶格恢复的程度．结果表明，椭偏测量是研究分子离子注入Ｓｉ的有用工具；ＢＦ注入硅样品的退火转变温度在５００℃以下；并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。
陈树光徐运海朱文玉
关键词：离子注入退火效应
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