陈树光
- 作品数：8 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中山大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信机械工程文化科学更多>>
- 椭偏光法研究晶体各向异性光学性质——对KNSBN铁电晶体的应用被引量：9
- 1989年
- 本文分析了椭偏光法测量各向异性晶体时入射角和起偏角对测量灵敏度的影响,着重讨论了如何选择合适的实验条件以测量低度各向异性(|n_o—n_e|<0.1)晶体的光学性质。利用单波长椭偏仪和多波长椭偏谱仪测量了方解石和KNSBN铁电晶体样品,得到各向异性折射率和消光系数值,与文献有关结果作了比较。对于|n_o—n_e|<0.1的KNSBN铁电晶体,获得了可靠的结果。
- 胡其宏陈树光莫党
- 关键词：晶体各向异性光学性质
- BF_2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析
- 1993年
- 把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF_2^+的分子效应。我们在1.6—5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量也(3×10^(13)-5×10^(15)ion/cm^2),147keV BF_2^+分子离子77K注入硅以及相应的B^+、F^+注入硅样品的椭偏谱。由实验测得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中发现,低温BF^2^+注入的损伤层和非晶层都首先在样品表面形成,与B^+、F^+注入损伤相比,BF_2^+注入存在显著的分子效应。
- 朱文玉李晓勤林成鲁陈树光徐运海
- 关键词：离子注入光谱
- TPP-1型椭圆偏振光谱仪被引量：7
- 1983年
- 一、前言椭圆偏振光谱仪是一种研究和测定薄膜、表面及固体的光学仪器。它是通过分析光在样品上反射时偏振状态的变化进行测量的,这种测量对表面结构和表面过程非常敏感。
- 江任荣陈树光叶贤京莫党
- 关键词：椭圆偏振偏振状态椭偏仪波长范围
- 金刚石薄膜的制备和结构分析
- 1992年
- 金刚石薄膜的制备与热丝温度、衬底温度、工作室压强及反应气体浓度有关,氢原子具有抑制石墨生长的作用,衬底的表面处理对金刚石薄膜的生长有很大影响。本文还试图用晶体生长和相变理论解释金刚石薄膜的生长过程。
- 郭扬铭陈树光张凯明
- 关键词：金刚石薄膜X射线衍射
- 用作磁记录介质防护膜的类金刚石薄膜性质的研究
- 陈树光朱小兵
- 关键词：金刚石防护膜磁记录材料
- 防霉磁盘及其制备方法
- 本发明涉及计算机使用的防霉磁盘及其制备方法。目前国内外生产的磁盘缺少防霉功能，一旦发霉，磁盘中储存的信息会受到破坏。本发明采用射频等离子体增强化学气相沉积法在普通磁盘上生长一层类金刚石碳膜，不但具有很好的防霉作用，对磁盘...
- 陈树光陈弟虎郭扬铭徐运海朱小兵
- 文献传递
- 计算机软磁盘的防霉研究
- 1引言当前计算机软磁盘的使用已越来越普及,我国每年消费量达几千万片,在高温、潮湿的环境中,磁盘极易发霉,这不仅使磁盘中贮存的珍贵信息丢失,而且极易造成驱动器磁头缝隙堵塞,影响驱动器的正常使用。磁盘发霉的原因主要是磁层中存...
- 陈树光陈弟虎郭扬铭徐运海朱小兵
- 文献传递
- BF^＋2注入硅的损伤和退火
- 1994年
- 本文用椭圆偏振光谱法研究了低温（７７Ｋ）、中等能量（１４７ｋｅＶ）、剂量分别为３×１０１３及４×１０１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２的ＢＦ２＋分子离子注人Ｓｉ的损伤及退火效应．根据样品椭圆偏振参数与Ｃ－Ｓｉ的比较确定退火后晶格恢复的程度．结果表明，椭偏测量是研究分子离子注入Ｓｉ的有用工具；ＢＦ注入硅样品的退火转变温度在５００℃以下；并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。
- 陈树光徐运海朱文玉
- 关键词：离子注入退火效应
