梁波
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制
- 1993年
- 本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
- 华培忠王福臣翁瑞钟志新马跃梁波杨玉昌
- 关键词：砷化镓场效应晶体管
- X波段宽带GaAs单片压控振荡器
- 1992年
- 为了适应宽带微波系统和整机小型化的要求,南京电子器件研究所进行了宽带GaAs MMIC VCO的基础研究工作。 在原工作的基础上,将源串联的固定反馈电容C_F用变容管代替,这样变容管不仅能起到反馈的作用,同时通过改变其外加偏压,还可达到增加调谐带宽的目的。 电路采用CAD设计,所研制的电路芯片尺寸为1.8mm×1.4mm。微波测试结果如下:频率调谐范围:7.3～10.7GHz;功率输出:15±1 dBm。
- 梁波
- 关键词：振荡器单片GAASX波段宽带
- X波段GaAs单片压控振荡器
- 1990年
- 本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变阳极指的长度和宽度就能改变电容比和电容量.但是在有源层临近夹断时,其串联电阻迅速变大,
- 梁波林金庭夏先齐王福臣杨玉昌
- 关键词：GAAS单片压控振荡器
- X波段GaAs单片压控振荡器
- 1991年
- 本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.
- 梁波林金庭夏先齐王福臣杨玉昌
- 关键词：压控振荡器X波段GAAS振荡器
