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王婧

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇静电放电
  • 1篇版图
  • 1篇ESD保护
  • 1篇ESD保护电...

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇杨银堂
  • 1篇吴晓鹏
  • 1篇柴常春
  • 1篇王婧
  • 1篇张冰

传媒

  • 1篇电路与系统学...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种抑制ESD保护电路闩锁效应的版图研究被引量：1
2013年
针对具有低压触发特性的静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护电路易闩锁的不足,本文结合CSMC0.6μm CMOS工艺,设计了一种可应用于ESD保护电路中的独立双阱隔离布局方案,这种方案不仅可以有效的阻断形成闩锁的CMOS器件固有纵向PNP与横向NPN晶体管的耦合,且兼容原有工艺而不增加版图面积。将此布局方案与常规保护环结构同时应用于笔者研制的具有低压快速触发特性双通路ESD保护电路中,通过流片及测试对比表明,该布局方案在不影响保护电路特性的同时,较常规保护环结构更为有效的克服了保护电路的闩锁效应,从而进一步提升了该保护电路的鲁棒性指标。本文的布局方案为次亚微米MOS ESD保护电路版图设计提供了一种新的参考依据。
柴常春张冰杨银堂吴晓鹏王婧
关键词：闩锁效应静电放电版图
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