王小飞
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国计量学院机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究被引量：7
- 2011年
- 等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义。本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低张应力和高张应力五种不同应力状态的氮化硅薄膜,并对残余应力与SiH4/NH3流量比例、射频功率之间的关系进行了说明。
- 韩建强王小飞刘珍宋美绚李青
- 关键词：微电子机械系统氮化硅
- 反应气体流量及射频功率对PECVD法淀积的氮化硅薄膜力学特性的影响
- 等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、残余应力可调节等特点,在微电子机械系统(micro-electromechanical system,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其...
- 王小飞韩建强严天宏宋美绚
- 关键词：氮化硅杨氏模量
- 淀积参数对PECVD氮化硅薄膜力学特性的影响被引量：2
- 2011年
- 等离子增强化学气相淀积(PECVD)法制备的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高和残余应力可调节等特点,研究其力学特性对研制MEMS器件和系统具有重要意义。采用HQ-2型PECVD淀积台,在沉积温度为350℃,NH3流量为30cm3/min的条件下,通过改变氩气稀释至5%的SiH4流量和射频功率大小,制备了具有压应力、微应力和张应力的多种氮化硅薄膜样品。采用纳米压痕仪Nanoidenter-G200对淀积薄膜的杨氏模量和硬度进行测试,结果表明,在较小的SiH4流量和较高的射频功率条件下,淀积的氮化硅薄膜具有更高的杨氏模量和硬度。
- 王小飞韩建强宋美绚严天宏
- 关键词：纳米压痕杨氏模量
- 基于负温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测微桥谐振器的新型红外探测器（英文）被引量：1
- 2015年
- 报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红外辐射引起微桥温度升高,激励电阻和检测电桥的阻值减小,使得恒定激励电压作用下激励电阻的静态功率和惠斯登电桥的焦耳热增加,等效于增加了辐射在微桥谐振器上的红外辐射.初步的实验证实了该方案的可行性.
- 韩建强李森林李琰王小飞冯日盛
- 关键词：红外探测器多晶硅电阻
