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刘珍

作品数：1 被引量：7H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇淀积
  • 1篇应力
  • 1篇应力状态
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子机械
  • 1篇微电子机械系...
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇PECVD法

机构

  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国计量学院

作者

  • 1篇韩建强
  • 1篇李青
  • 1篇宋美绚
  • 1篇王小飞
  • 1篇刘珍

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PECVD法淀积不同应力状态氮化硅薄膜工艺研究被引量：7
2011年
等离子增强化学气相淀积法(PECVD)淀积的氮化硅薄膜具有沉积温度低、生长速率高、均匀性好等优点,在微电子机械系统(Micro-Electromechanical System,MEMS)中的应用越来越广泛,研究其应力状态对研制MEMS器件和系统具有重要意义。本文在大量实验的基础上,淀积出高压应力、低压应力、微应力、低张应力和高张应力五种不同应力状态的氮化硅薄膜,并对残余应力与SiH4/NH3流量比例、射频功率之间的关系进行了说明。
韩建强王小飞刘珍宋美绚李青
关键词：微电子机械系统氮化硅
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