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陈南庭

作品数：25 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：广东省战略性新兴产业专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 19篇晶体管
  • 18篇场效应
  • 17篇氮化镓
  • 16篇场效应晶体管
  • 15篇异质结
  • 13篇异质结场效应...
  • 9篇势垒
  • 7篇铟镓氮
  • 6篇肖特基
  • 6篇肖特基接触
  • 6篇二维电子
  • 6篇二维电子气
  • 5篇沟道
  • 4篇钝化层
  • 4篇异质结场效应...
  • 4篇势垒层
  • 4篇场效应管
  • 3篇电场
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率

机构

  • 25篇电子科技大学
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 25篇陈南庭
  • 20篇于奇
  • 20篇杜江锋
  • 18篇潘沛霖
  • 12篇刘东
  • 3篇王向展
  • 2篇欧文
  • 2篇黄建国
  • 2篇尹成功
  • 2篇黄思霓
  • 2篇严慧
  • 2篇刘斌
  • 2篇赵迪
  • 2篇罗杰
  • 1篇黄建国
  • 1篇王康
  • 1篇赵迪

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2015
  • 10篇2014
  • 1篇2013
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
大功率LED模组
本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有大功率LED模组中，由于功率集中和温度场的叠加效应而引起基板中心温度过高问题，提供了一种大功率LED模组，其技术方案可概括为：大功率LED模组，包括散热基板及多个发光芯片，每个发...
王向展邹淅黄建国赵迪陈南庭欧文张衡明
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一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管
本发明公开了一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及钝化层组成，在势垒层上形成与势垒层成欧姆接触的源极、漏极以及与势垒层成肖特基接触的栅极。本发明在栅极...
杜江锋潘沛霖陈南庭王康于奇
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一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管
本发明公开了一种具有复合钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在器件表面覆盖有一层钝化层。在栅极与漏极之间的...
杜江锋陈南庭潘沛霖白智元刘东于奇
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一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，包括AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极，下部依次为GaN沟道层、p-GaN电流阻挡层、n-GaN缓冲层、n<Sup>+</Sup>-...
杜江锋刘东陈南庭潘沛霖于奇
具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管
本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所述源...
杜江锋潘沛霖陈南庭于奇
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一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应管
本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成，当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端，使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏...
杜江锋潘沛霖陈南庭刘东于奇
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具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题，提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管，其技术方案可概括为：与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比，...
杜江锋陈南庭潘沛霖刘东于奇
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具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件，而没有一种相对可靠的增强型器件的问题，提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其技术方案可概括为：与现有的GaN MIS-...
杜江锋潘沛霖陈南庭刘东于奇
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一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，在器件表面有淀积一层钝化层，并且在钝化层中引入电偶极层以调制沟...
杜江锋陈南庭潘沛霖刘东白智元于奇
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