您的位置： 专家智库 > >

潘沛霖

作品数：27 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 26篇场效应
  • 23篇氮化镓
  • 23篇异质结
  • 20篇晶体管
  • 20篇场效应晶体管
  • 17篇异质结场效应...
  • 15篇势垒
  • 10篇沟道
  • 8篇异质结场效应...
  • 8篇势垒层
  • 8篇场效应管
  • 7篇铟镓氮
  • 6篇二维电子
  • 6篇二维电子气
  • 5篇肖特基
  • 5篇肖特基接触
  • 5篇铝镓氮
  • 4篇钝化层
  • 4篇击穿电压
  • 3篇电场

机构

  • 27篇电子科技大学

作者

  • 27篇潘沛霖
  • 26篇于奇
  • 26篇杜江锋
  • 20篇刘东
  • 18篇陈南庭
  • 5篇王康

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2018
  • 8篇2017
  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 7篇2014
共 27 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管
本发明公开了电荷补偿耐压结构垂直氮化镓基异质结场效应管，该器件特别之处在于还包括位于势垒层、沟道层、电流阻挡层及n-GaN缓冲层外侧的电荷补偿绝缘层，并且在电荷补偿绝缘层与势垒层、沟道层、电流阻挡层及n-GaN缓冲层界面...
杜江锋刘东白智元潘沛霖于奇
文献传递
一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有局部背势垒的氮化镓基功率异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底、氮化铝成核缓冲层、铝铟镓氮局部背势垒层、氮化镓沟道层以及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒...
杜江锋潘沛霖王康刘东于奇
一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管
本发明公开了一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及钝化层组成，在势垒层上形成与势垒层成欧姆接触的源极、漏极以及与势垒层成肖特基接触的栅极。本发明在栅极...
杜江锋潘沛霖陈南庭王康于奇
文献传递
具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件，而没有一种相对可靠的增强型器件的问题，提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其技术方案可概括为：与现有的GaN MIS-...
杜江锋潘沛霖陈南庭刘东于奇
文献传递
一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管
本发明公开了一种具有复合钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，源极及漏极与势垒层形成欧姆接触，在器件表面覆盖有一层钝化层。在栅极与漏极之间的...
杜江锋陈南庭潘沛霖白智元刘东于奇
文献传递
具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管
本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所述源...
杜江锋潘沛霖陈南庭于奇
AlGaN/GaN HEMT短沟道效应与耐压新结构探索
由于GaN材料具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场等优秀特性，使AlGaN/GaN HEMT器件成为微波和功率领域的研究热点。在微波应用领域，AlGaN/GaN HEMT器件为提高器件的电流增益截止频率（?T）...
潘沛霖
关键词：GAN材料功率增益短沟道效应电学性能耐压结构
一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应管
本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成，当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端，使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏...
杜江锋潘沛霖陈南庭刘东于奇
文献传递
具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题，提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管，其技术方案可概括为：与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比，...
杜江锋陈南庭潘沛霖刘东于奇
文献传递
一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，包括AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极，下部依次为GaN沟道层、p‑GaN电流阻挡层、n‑GaN缓冲层、n<Sup>+</Sup>‑...
杜江锋刘东陈南庭潘沛霖于奇
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0