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刘卫卫

作品数:3 被引量:5H指数:1
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇氧化锌
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结二极管
  • 1篇光电
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇ZNO
  • 1篇GAAS衬底
  • 1篇衬底
  • 1篇ZNO薄膜

机构

  • 3篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 3篇刘卫卫
  • 2篇张吉英
  • 2篇申德振
  • 2篇姚斌
  • 2篇张振中
  • 2篇李炳辉
  • 2篇单崇新
  • 2篇李永峰
  • 1篇范希武
  • 1篇张炳烨
  • 1篇赵东旭
  • 1篇邓蕊

传媒

  • 2篇第12届全国...
  • 1篇发光学报

年份

  • 3篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Li-N共掺ZnO薄膜中受主掺杂状态的研究
利用等离子辅助分子束外延(P-MBE),在c面蓝宝石上外延生长了Li-N共掺杂的p型氧化锌薄膜.在实验中,采用高纯金属锌和金属锂作为Zn源和Li源、NO作为O源和N源,通过射频等离子体激活进行生长.获得了高重复性、稳定的...
张炳烨申德振姚斌李永峰刘卫卫李炳辉张振中单崇新张吉英赵东旭
生长在p-GaAs衬底上的ZnO基异质结二极管电致发光(英文)被引量:5
2010年
利用等离子体辅助分子束外延在p型砷化镓衬底上制备了ZnO异质结发光二极管。实验表明:GaAs与ZnO之间的氧化镁绝缘层能够有效改善器件光电性能,I-V特性的研究表明该器件具有良好的整流特性,开启电压为3 V,电致发光光谱由一个紫外发光峰和一个可见发光带构成,其来源分别为ZnO层中近带边缺陷以及深能级缺陷相关的辐射复合。
李炳辉姚斌李永峰邓蕊张振中刘卫卫单崇新张吉英申德振
关键词:氧化锌分子束外延电致发光
氮掺杂氧化锌薄膜掺杂效率及光电特性研究
本文采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和N掺杂源,利用等离子辅助分子束外延(P-MBE)技术,在c-面蓝宝石衬底上,通过调制Zn源温度外延生长了氮掺杂的氧化锌合金薄膜(ZnO:N).通过拉曼光谱(Raman),光致发...
刘卫卫范希武姚斌张炳烨李永峰李炳辉张振中单崇新张吉英申德振
共1页<1>
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