刘红侠
- 作品数：233 被引量：263H指数：8
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 静电释放ESD器件的连续多脉冲瞬态仿真方法
- 本发明提出了一种静电释放ESD器件的连续多脉冲瞬态仿真方法，主要解决目前仿真方法精度低和计算复杂的问题。其实现方案是：1.在仿真工具中画出ESD器件结构，优化器件网格；2.在器件的阳极和阴极两端加上一系列模拟实际静电放电...
- 刘红侠李盛
- 文献传递
- 抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法
- 本发明涉及一种抗辐照复杂集成电路单粒子错误率截面预估方法，其技术方案是：根据电路的系统功能编制地面全功能试验程序，按照占空因子相等，辐射效应类型相同和物理版图可划分的原则，将电路划分成多个模块，并求出各模块的在地面加速试...
- 刘红侠杜守刚王树龙王倩琼
- ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3
- 2012年
- 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.
- 匡潜玮刘红侠樊继斌马飞张言雷
- 关键词：高K栅介质原子层淀积生长温度
- 衬底热空穴注入下的薄栅氧化层击穿特性(英文)
- 2001年
- 利用衬底热空穴 (SHH)注入技术 ,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响 ,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化 .阈值电压的漂移表明是正电荷陷入氧化层中 ,而热电子的存在是氧化层击穿的必要条件 .把阳极空穴注入模型和电子陷阱产生模型统一起来 ,提出了薄栅氧化层的击穿是与电子导致的空穴陷阱相关的 .研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡 .认为栅氧化层的击穿是一个两步过程 .第一步是注入的热电子打断 Si— O键 ,产生悬挂键充当空穴陷阱中心 ,第二步是空穴被陷阱俘获 ,在氧化层中产生导电通路 。
- 刘红侠郝跃
- 关键词：薄栅氧化层击穿特性
- 基于缺陷边界值变化次数的IC缺陷分类方法
- 本发明公开了一种对集成电路缺陷进行分类的方法。其步骤为，首先计算缺陷的灰度值MA，并根据灰度值将缺陷分为多余物缺陷和丢失物；再次对没有缺陷的标准图像进行二值化处理；然后对多余物缺陷和丢失物缺陷同时进行3×3全1矩阵的膨胀...
- 刘红侠周文高博
- 文献传递
- 基于La基栅的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法
- 本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO<S...
- 刘红侠赵璐陈煜海冯兴尧汪星费晨曦
- 文献传递
- 高k介质异质栅全耗尽SOI MOSFET二维解析模型被引量：7
- 2008年
- 为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽条件下表面势和阈值电压的二维解析模型.模型中考虑了各种主要因素的影响,包括不同介电常数材料的影响,栅金属长度及其功函数变化的影响,不同漏电压对短沟道效应的影响.结果表明,沟道表面势中引入了阶梯分布,因此源端电场较强;同时漏电压引起的电势变化可以被屏蔽,抑制短沟道效应.栅介电常数增大,也可以较好的抑制短沟道效应.解析模型与数值模拟软件ISE所得结果高度吻合.
- 栾苏珍刘红侠贾仁需蔡乃琼
- 关键词：异质栅解析模型
- 基于22nm工艺条件的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于22nm工艺条件的抗辐照FDSOI场效应管及其制备方法，其自下而上包括：衬底层(1)、P阱(2)、埋氧层(3)、Si层(4)、SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层(13)、HfO<Sub>2</Su...
- 刘红侠刘孜煦陈树鹏王树龙
- 文献传递
- 薄栅SiO_2击穿特性的实验分析和机理研究被引量：2
- 2001年
- 该文利用衬底热空穴(SHH)注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和热空穴的数量,定量研究了热电子和热空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和热空穴共同作用导致的新观点,并为薄栅氧化层的经时击穿建立了一个新的物理模型。
- 刘红侠郝跃
- 关键词：薄栅氧化层击穿机理半导体材料
- 一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法
- 本发明公开了一种热载流子效应和总剂量效应的一种耦合仿真方法，主要解决现有技术无法准确得到NMOS场效应管电学特性随时间变化的问题，其实现方案是：利用TCAD工具的Sentaurus软件进行建模得到NMOS器件结构；对该器...
- 刘红侠高子厚陈树鹏王树龙
