张富强
- 作品数：14 被引量：18H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术一般工业技术电气工程更多>>
- 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法
- 一种多能态离子注入法制备磁性半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先选择半导体材料为衬底；然后在衬底上采用多能态离子注入法直接制备磁性半导体材料，形成稀磁半导体材料；其中采用多能态离子注入法中的退火处理，其退火温...
- 张富强陈诺夫
- 文献传递
- 磁性p－n结薄膜材料及制备方法
- 本发明一种磁性p－n结薄膜材料，磁性p－n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或根据需要在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再...
- 周剑平陈诺夫张富强刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
- 低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
- 2004年
- 利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子浅注入到 p型 Si单晶衬底 ,注入深度约为 4 2 nm.X射线衍射法 (XRD)对热处理样品结构分析发现只有 Si衬底的衍射峰 ,没有其他新相 .X射线光电子能谱法 (XPS)对热处理样品表面分析发现 Fe2 p束缚能对应于单质 Fe的峰 ,没有形成 Fe的硅化物 .这些结果表明重掺杂 Fe的 Si∶ Fe固溶体被制备 .电化学 C- V法测量了热处理后样品载流子浓度随深度的分布 ,发现 Fe重掺杂 Si致使 Si的导电类型从 p型转为 n型 ,Si∶ Fe固溶体和 Si衬底形成 pn结 。
- 刘力锋陈诺夫张富强陈晨龙李艳丽杨少延刘志凯
- 关键词：硅低能离子束重掺杂
- 室温铁磁性半导体MnxGa(1-x)Sb被引量：3
- 2002年
- 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.
- 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林王占国胡文瑞林兰英
- 关键词：铁磁性稀磁半导体磁滞回线晶体结构载流子浓度
- 电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布被引量：3
- 2002年
- 采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。
- 张秀兰张富强宋书林陈诺夫王占国胡文瑞林兰英
- 关键词：载流子浓度磁性半导体稀磁半导体闪锌矿结构
- 组份渐变铁磁性半导体制备方法
- 一种组份渐变铁磁性半导体制备方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1：选择半导体单晶片，该半导体单晶片作为基底材料；步骤2：将所述的基底材料加热，为下一步工艺作好准备；步骤3：在基底上生长组份渐变的磁性半导体材料；步骤4：对...
- 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林
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- 磁性p－n结薄膜材料及制备方法
- 本发明一种磁性p-n结薄膜材料，磁性p-n结是在半导体衬底上制备磁性半导体材料，并且使其载流子和衬底属于不同的类型；包括：一半导体衬底；在该半导体衬底上直接生长磁性半导体材料，或在衬底上先外延一层或多层缓冲层后再生长磁性...
- 周剑平陈诺夫张富强刘志凯杨少延柴春林
- 文献传递
- 铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
- 2003年
- 采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 .
- 彭长涛陈诺夫张富强林兰英
- 关键词：物理气相沉积X射线衍射分析
- 室温铁磁性Al_2O_3∶Mn的制备及性质
- 2005年
- 以Al2O3为衬底利用多能态离子注入法在离子注入设备上制备了一系列具有室温铁磁性的Al2O3∶Mn样品.在Al2O3的X射线衍射峰附近发现新的衍射峰,该衍射峰既可能对应一种未知新相,也可能对应Al2O3∶Mn固溶体.所有样品都具有磁滞现象和室温铁磁性.
- 张富强陈诺夫杨瑞霞魏怀鹏刘祥林刘志凯杨少延柴春林
- 关键词：铁磁性X射线衍射
- Mn注入n型Ge单晶的特性研究
- 2005年
- 采用离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2的离子注入技术,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品进行400℃热处理。利用X-射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析,俄歇电子能谱法(AES)进行了组分分析,交变梯度样品磁强计(AGM)进行了室温磁性测量。结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后发生晶化现象。没有在样品中观察到新相形成。Mn离子较深的注入进Ge衬底,在120nm处Mn原子百分比浓度达到最高为8%。热处理后的样品表现出了室温铁磁特性。
- 刘力锋陈诺夫尹志岗杨霏周剑平张富强
- 关键词：离子注入锗铁磁性稀磁半导体
