您的位置： 专家智库 > >

徐维锋

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：华中理工大学固体电子学系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇数值模拟
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿特性
  • 1篇集成电路
  • 1篇功率集成
  • 1篇功率集成电路
  • 1篇VDMOS
  • 1篇值模拟

机构

  • 1篇华中理工大学

作者

  • 1篇应建华
  • 1篇徐维锋
  • 1篇刘三清
  • 1篇曹广军

传媒

  • 1篇华中理工大学...

年份

  • 1篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
对接沟道NMOS结构击穿特性的二维数值分析
1998年
对VDMOS－NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟，模拟结果分析表明：在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下，对接NMOS的对接区域对VDMOS－NMOS兼容结构的击穿特性影响很小，对接沟道NMOS结构可以较好地实现VDMOSFET与p阱NMOS电路的兼容集成．同时通过原理性实验对模拟结果进行了验证．
徐维锋刘三清应建华曹广军
关键词：功率集成电路VDMOS数值模拟击穿特性
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0