2024年8月31日
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陶涛
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90
被引量:42
H指数:4
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南京大学
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国家自然科学基金
江苏省自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
张荣
南京大学电子科学与工程学院江苏...
刘斌
南京大学
谢自力
南京大学电子科学与工程学院江苏...
郑有炓
南京大学电子科学与工程学院江苏...
修向前
南京大学
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作者
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陶涛
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张荣
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刘斌
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谢自力
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郑有炓
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1篇
2007
共
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AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件及其制备方法
本发明公开了一种AlGaN异质结纳米柱阵列发光器件,其结构自下至上依次包括:一衬底;一生长在衬底上的GaN缓冲层;一生长在GaN缓冲层上的AlN插入层;一生长在AlN插入层上的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1...
刘斌
戴姜平
张荣
陶涛
谢自力
陈敦军
韩平
施毅
郑有炓
(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用
本发明公开了(010)面氧化镓单晶在制备非极性GaN衬底中的应用,其步骤包括:(1)对氧化镓单晶的(010)面进行清洗;(2)在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中对氧化镓单晶的(010)面进行部分氮化或完全氮化处理,从而在氧化...
修向前
李悦文
许万里
陶涛
张荣
文献传递
4,4’-二正丁基-5,5’-二(4-吡啶基)-2,2’-双噻唑及其制法和对铁离子的荧光传感与生物应用
一种2,2’-双噻唑化合物,它是4,4’-正丁基-5,5’-(4-吡啶基)-2,2’-双噻唑,具有如下结构式:<Image file="DDA00002732179200011.GIF" he="156" imgCont...
黄伟
尹桂
刘远
陶涛
文献传递
基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层,深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构,其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RG...
刘斌
蒋迪
余俊驰
王轩
陶涛
潘丹峰
谢自力
周玉刚
陈敦军
修向前
张荣
文献传递
栅状电极增强表面等离激元激光器及其制备方法
本发明公开了一种栅状电极增强表面等离激元激光器,该激光器包括表面等离激元衬底、多量子阱纳米线和栅状电极。本发明利用栅状电极对纳米结构实施电磁场刺激,同时利用等离激元可与增益介质中的激子形成共振耦合从而实现增益介质中光子的...
陶涛
苗涛
蒋迪
智婷
刘斌
一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法
本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA‑MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法,在Si衬底上先生长岛状AlN成核点,再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线...
刘斌
吴耀政
张荣
王科
陶涛
谢自力
修向前
陈敦军
郑有炓
文献传递
InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件及其制备方法
本发明公开了一种InGaN/GaN多量子阱单纳米柱LED器件,InGaN/GaN多量子阱纳米柱两端的n型GaN层和p型GaN层离金属电极膜的距离在100nm以内或直接接触金属电极膜,且中间的In<Sub>x</Sub>G...
刘斌
智婷
张荣
陶涛
谢自力
郭旭
葛海雄
陈鹏
陈敦军
韩平
施毅
郑有炓
文献传递
单片异质集成的microLED显示芯片及其制备方法
本发明公开一种单片异质集成的microLED显示芯片,采用外延片上microLED柱阵列,与二维半导体薄膜晶体管矩阵作为驱动电路进行垂直单片异质集成。本发明还公开了其制备方法。本发明避免了传统microLED显示芯片制备...
王欣然
刘斌
孟琬青
许非凡
于志浩
陶涛
InGaN异质结构及其太阳能光电化学电池分解水制氢技术研究
随着化石能源的消耗和环境污染的加剧,人类社会的可持续发展迫切需要开发可再生的清洁能源。在众多新兴能源中最具有潜力的是太阳能。但是目前太阳能电池的转换效率仍然较低,而且从太阳能转换而来的电能在存储方面仍然存在一定的技术难度...
陶涛
关键词:
制氢技术
文献传递
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法,包括以下步骤:取一衬底,衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓;在衬底依次外延生长GaN缓冲层,n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片;量子阱...
张荣
智婷
陶涛
谢自力
万图图
叶展圻
刘斌
修向前
李毅
韩平
施毅
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